產(chǎn)品介紹：BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）及等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （PEVCD）系統(tǒng)

用于反應(yīng)離子刻蝕（RIE）及等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （PEVCD）的等離子處理系統(tǒng)。

BM8-II是一款定義反應(yīng)離子刻蝕（RIE）及等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （PEVCD）等離子處理新概念的等離子處理系統(tǒng)。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)基于模塊化設(shè)計(jì)制造，采用一款通用的真空處理艙及機(jī)柜。等離子處理系統(tǒng)采用平板式電極、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）電極及等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （PEVCD）電極模塊化設(shè)計(jì)理念，方便整體系統(tǒng)的組裝及配置。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)帶給用戶方便操作，提供多種等離子處理工藝、方便維護(hù)及性價(jià)比高的反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積等離子處理系統(tǒng)，比業(yè)內(nèi)其它反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)更具競(jìng)爭(zhēng)力。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)-主要性能簡(jiǎn)介

等離子工藝處理的研發(fā)需要多功能且可靠的等離子處理系統(tǒng)。為了滿足等離子研究日新月異的要求，用戶選購(gòu)的系統(tǒng)設(shè)備滿足zui大范圍的等離子工藝參數(shù)需要，工藝驗(yàn)證需要極其高的可重復(fù)性，必須方便改造用于新的等離子工藝需要。我們相信BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)系列干法工藝等離子系統(tǒng)滿足這些非?？量痰囊?。. BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)是一款用于研究，工藝開(kāi)發(fā)及其小批量生產(chǎn)的等離子系統(tǒng)工具，用于zui大八英寸基片的精確等離子刻蝕及沉積。BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)可以在多片或單片處理模式下操作。

在設(shè)計(jì)BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)之初，主導(dǎo)指示就是創(chuàng)造一款融合高質(zhì)量、可靠、重復(fù)性及其用于生產(chǎn)系統(tǒng)的工藝控制能力為一體的等離子系統(tǒng)；同時(shí)*的降低主機(jī)成本、維護(hù)成本及占地面積小等要求。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)具有*的機(jī)體結(jié)構(gòu)和電極設(shè)計(jì)，方便安裝在層流模塊中或是超凈間。BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)的建造采用高質(zhì)量認(rèn)可的部件、模塊化裝配、多功能真空艙體及其電極設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)緊湊、自動(dòng)化及業(yè)內(nèi)認(rèn)可工藝程序使得BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)成為工藝工程師*干法等離子處理設(shè)備。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)-主要性能介紹

· 一體式真空艙體構(gòu)造

· 原位電極間距設(shè)計(jì)（PEVCD版）

· 可更換工藝氣體噴頭

· 業(yè)內(nèi)認(rèn)可的工藝程序

· 高質(zhì)量業(yè)內(nèi)認(rèn)可的主要部件

· 終點(diǎn)探測(cè)監(jiān)測(cè)（Endpoint detection選配）

· 多種電極配置

· 自動(dòng)射頻（RF）匹配器

· 下游壓力控制（Downstream pressure control選配）

· 電腦控制，基于Windows編程

· 多款真空泵浦選配：機(jī)械泵、機(jī)械泵/風(fēng)機(jī)，渦輪增壓泵浦

· 單真空艙及雙真空艙結(jié)構(gòu)

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)-應(yīng)用

基于系統(tǒng)建造的高質(zhì)量處理模塊，BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)滿足廣泛的等離子處理工藝條件，無(wú)論是復(fù)雜的亞微米級(jí)反應(yīng)離子刻蝕 （RIE）還是高質(zhì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）薄膜的沉積。以下是我們，BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)的典型工藝處理應(yīng)用，基與眾多客戶群的緊密協(xié)作，我們開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)認(rèn)可的工藝程序，保證系統(tǒng)滿足用戶所需。用于生產(chǎn)制造的系統(tǒng)設(shè)備均采用zui高質(zhì)量的部件，保證，BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)提供zui大可能的正常運(yùn)行時(shí)間、 可靠性、重復(fù)性及耐用性。

·  故障分析應(yīng)用（Failure analysis）

· 材料改性（Material modification）

· 粘合促進(jìn)等離子descum

· 表面處理（Surface treatment）

· 各向異性各項(xiàng)同性及刻蝕（Anisotropic and isotropic etching）

· 金屬刻蝕（Metal etching）

· Si02（二氧化硅）, Si3N4 （氧化硅）及 SiOxNy（氮氧化矽）薄膜沉積

· II-V 刻蝕應(yīng)用（III-V etching）

· 溝槽刻蝕（Trench etching）

· 鈍化層刻蝕（Passivation etching）

· 聚酰亞胺刻蝕（Polyimide etching ）

· 亞納米級(jí)刻蝕（Submicron etching）

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)規(guī)格

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)的廣泛使用得益于其高性價(jià)比，多功能設(shè)計(jì)模塊，提供其他同類反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)沒(méi)有的工藝優(yōu)勢(shì)。這些包括層流安裝占地面積小，多款電極配置，及其zui大可滿足直徑8英寸（203毫米）基片處理等。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)基本模塊

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)基本部件包括一款基于Windows的PC控制器及其菜單存儲(chǔ)、質(zhì)量流量控制的兩路通道控制（zui大可擴(kuò)展至六通道）、溫度補(bǔ)償式電容壓力計(jì)用于測(cè)量工藝真空度、100毫米真空通道用于zui大工藝氣體電導(dǎo)、KF或ISO標(biāo)準(zhǔn)管件便于維護(hù)；及其它工藝及服務(wù)特性。工藝氣體導(dǎo)管未不銹鋼操作，配備VCE連接件。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)-真空處理艙

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)的真空處理艙采用整塊鋁合金建造成一體式設(shè)計(jì)。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）及平板電極系統(tǒng)均采用同樣的真空處理艙設(shè)計(jì)。真空處理艙上部包括一個(gè)電極，并且具有原位電極可調(diào)間距；真空艙下部包括基片電極，真空泵浦接口及氣體必要的真空閥及其真空監(jiān)控設(shè)備。自動(dòng)升降臺(tái)抬舉真空艙上部便于接近底部電極。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)-電極配置

反應(yīng)離子刻蝕（RIE）系列電極特別為達(dá)到低真空范圍的*等離子性能設(shè)計(jì)。上部的不銹鋼電極包括噴頭式工藝氣體供應(yīng)系統(tǒng)。不銹鋼材質(zhì)底部電極通過(guò)可選配冷卻循環(huán)槽來(lái)控制溫度。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）陽(yáng)極采用暗區(qū)屏障設(shè)計(jì)，使等離子在兩塊電極之間產(chǎn)生。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（（PECVD ）電極采用類似的設(shè)計(jì)，但是鋁制底部基片電極zui大可耐400℃高溫，而上部電極（通電電極）是采用水冷卻。鋁制電有氣體感應(yīng)端口，便于沉積工藝后的快速冷卻。對(duì)于（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD ）應(yīng)用，上部電極的間距可以在25.40至89毫米之間調(diào)節(jié)。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)-等離子電源

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)的電源可匹配廣泛的功率及其等離子電源頻率。所有的電源采用固態(tài)、風(fēng)冷式。電源功率從300至1250瓦特均有，射頻頻率從40KHz（中頻）至2.45GHz（微波）；系統(tǒng)標(biāo)配為13.56MHz，600瓦特射頻電源?？蛇x配自動(dòng)或手動(dòng)匹配器。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)-工藝處理真空泵浦

根據(jù)用戶的工藝需要，BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)配備機(jī)械泵、機(jī)械泵及渦輪分子泵，或是帶魯氏鼓風(fēng)機(jī)的機(jī)械泵。也可根據(jù)所需真空處理級(jí)別配備不同尺寸大小的真空泵浦。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)-控制器

控制器采用電腦控制整個(gè)系統(tǒng)。基于Windows的控制軟件采用多屏幕顯示系統(tǒng)設(shè)備控制、數(shù)據(jù)記錄、稱呼設(shè)定及存儲(chǔ)，系統(tǒng)連鎖應(yīng)需配備。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)-選配

為了增強(qiáng)BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)的工藝處理能力，BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)提供廣泛的工藝處理選項(xiàng)，包括終點(diǎn)檢測(cè)、水冷器（用于冷卻電極）、油霧分離器及吹掃系統(tǒng)、下周壓力控制、硬質(zhì)陽(yáng)極氧化真空艙。工藝廢氣處理系統(tǒng)也可提供。應(yīng)離子刻蝕（RIE）/等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）任意結(jié)合的雙真空處理艙可以配置。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）組合配置具有明顯的多功能性，其優(yōu)勢(shì)在于避免不同沉積工藝的交叉污染。

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)尺寸

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)重量

70~120公斤. （取決于具體系統(tǒng)配置）.

BM8-II反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)安裝條件

如果您對(duì)GIK反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)感興趣，請(qǐng)索取更詳盡資料！
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