產(chǎn)品介紹：多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)、

IL-50多艙體式PEVCD/ETCH系統(tǒng)

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)具有沉積薄膜在光電池上的能力，提供精密的鍍膜性能。在不破壞真空的情況下，可以zui大沉積四種薄膜。

•   裝載互鎖式（Load Lock）多腔體等離子系統(tǒng)
•  晶圓料盒至晶圓料盒式（Cassette-Cassette processing）等離子處理
•  破壞真空的情況下zui多可沉積四種薄膜
•   基片尺寸：125 x 125mm,156 x 156mm 及200mm直徑基片（可采用裝載器處理小尺寸基片）.
•   常規(guī)薄膜：SiOx & SiNx - a- Si
•  研發(fā)、試制生產(chǎn)及生產(chǎn)制造
•  反應(yīng)離子刻蝕（RIE）真空處理艙可供選配
•   全電腦控制系統(tǒng)
•  真空處理艙采用模塊化設(shè)計(jì)，并與200mm空隙閥連接。

多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)描述

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)包括一個(gè)*控制模塊，內(nèi)置機(jī)器人真空艙室。多腔體模塊包括*真空艙、晶圓片處理機(jī)器人、工藝處理艙四個(gè)結(jié)構(gòu)，每個(gè)接口配備閘閥。*真空艙室配置一個(gè)真空接口及真空計(jì)。

*控制模塊內(nèi)zui多可安裝4套等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）或反應(yīng)離子刻蝕（RIE）工藝處理真空艙。這些真空處理艙體通過(guò)寬角閥隔離。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）或反應(yīng)離子刻蝕（RIE）工藝處理真空艙針對(duì)具體應(yīng)用而設(shè)計(jì)制造，并且每個(gè)艙體配備獨(dú)立的真空泵浦系統(tǒng)、工藝氣體控制、加熱/冷卻系統(tǒng)、壓力 、工藝氣體噴頭及其它特定工藝需要的系統(tǒng)配置。

晶圓料盒至晶圓料盒式模塊用于晶圓片的裝載導(dǎo)入及卸載導(dǎo)出。模塊在真空環(huán)境下工作，通過(guò)閘閥與系統(tǒng)控制模塊隔離。單個(gè)系統(tǒng)中zui多可集成兩套晶圓料盒至晶圓料盒式模塊。

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)應(yīng)用

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)用于在太陽(yáng)能電池晶圓片上沉積鍍膜或是蝕刻。單層或多層可以處理。預(yù)蝕刻功能也可提供。

zui多十二塊晶圓片可以裝載導(dǎo)入傳送晶圓片料盒，并且置于晶圓片料盒傳送模塊中。晶圓片通過(guò)機(jī)器手移至處理模塊中以便特定工藝處理，薄膜沉積或是蝕刻。薄膜沉積或蝕刻工藝完畢以后，晶圓片移至另外一個(gè)艙內(nèi)進(jìn)行進(jìn)一步的處理或是導(dǎo)入晶圓片料盒裝載/卸載模塊。

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)包括zui多四個(gè)處理艙室，一個(gè)晶圓片傳送艙及一個(gè)裝載/卸載平臺(tái)

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng) 晶圓片傳送艙

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)的晶圓片傳送艙由優(yōu)質(zhì)鋁材建造，配備四個(gè)處理艙及晶圓片料盒裝載/卸載平臺(tái)的200mm接口。  鉸接連桿式機(jī)器人用于晶圓片從料盒導(dǎo)入晶圓片處理系統(tǒng)，然后進(jìn)入處理艙，zui后返回。

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)晶圓片料盒傳送平臺(tái)

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)配備一套晶圓片料盒傳送平臺(tái)。該平臺(tái)采用鋁合金建造。金屬材質(zhì)的晶圓片料盒載入平臺(tái)，然后導(dǎo)入晶圓片傳送艙。

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)的處理艙室

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)的處理艙采用模塊化設(shè)計(jì)，并且通過(guò)一個(gè)200mm閘閥連接至晶圓片傳送模塊。該處理艙采用鋁合金制造，包括加熱/冷卻臺(tái)，通過(guò)特殊處理套件經(jīng)行溫度控制。獨(dú)立式真空計(jì)、每個(gè)艙室配備氣體控制系統(tǒng)。處理艙采用平板式電極設(shè)計(jì)。上部電極配備工藝氣體噴頭，用于均勻的工藝氣體介入。

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)的等離子電源

每套獨(dú)立的處理艙室配備獨(dú)立的1200W@13.56MHz射頻電源。每套處理艙室配備強(qiáng)耦合射頻匹配網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)的工藝處理真空泵浦系統(tǒng)

根據(jù)不同工藝處理需要，不同真空泵浦系統(tǒng)可以按需提供，真空泵浦包括機(jī)械式真空泵、干式真空泵、渦輪增壓真空泵及鼓風(fēng)機(jī)套件。每個(gè)處理艙室具備獨(dú)立式真空泵浦設(shè)置，而晶圓片傳送艙室采用另外一個(gè)獨(dú)立的真空泵浦系統(tǒng)。

IL-50多艙體式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）/蝕刻（ETCH）系統(tǒng)的整套電腦控制系統(tǒng)

 控制系統(tǒng)采用*的控制系統(tǒng)，使用下拉格式的程序菜單。這些程序菜單提供多步驟設(shè)置，通過(guò)整體工藝序列進(jìn)行控制。工藝步驟也可存儲(chǔ)以便日后使用。操作系統(tǒng)提供整體式工藝控制。

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