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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>物理特性分析儀器>磁學測量儀器>BH磁滯回線儀>HAD-FD-HL-5 霍耳效應實驗儀 霍耳效應實驗儀

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HAD-FD-HL-5 霍耳效應實驗儀 霍耳效應實驗儀

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 北京恒奧德儀器儀表有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 HAD-FD-HL-5
  • 產(chǎn)地 北京恒奧德儀器儀表有限公司
  • 廠商性質 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/4/23 17:24:45
  • 訪問次數(shù) 1339

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北京恒奧德儀器儀表有限公司是家研發(fā)、銷售、服務于一體的企業(yè)。    


     北京恒奧德儀儀器儀表有限公司為各大企業(yè)提供了許多產(chǎn)品和優(yōu)質服務。
  公司堅持以用戶至上,質量率,信譽率,信譽恒和服務yi為宗旨。產(chǎn)品出廠年內免費維修,終身保護。嚴格的要求,穩(wěn)定的產(chǎn)量是我廠發(fā)展生存的希望,我們希望廣大科研程人員對誠產(chǎn)品提出更合理、更善的建議,也希望我們共同研制開發(fā),共未來

 

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1.  霍耳效應實驗儀     型號;HAD-FD-HL-5

霍耳元件因其體積小,使用簡便,測量準確度,可測量交、直磁場等優(yōu)點,已廣泛用于磁場的測量,并配以其他裝置用于位置、位移、轉速、角度等物理量的測量和自動控制。本霍耳效應實驗儀主要幫助學生了解霍耳效應的實驗原理,測量霍耳元件的靈敏度,并學會用霍耳元件測量磁感應強度的方法。

  HAD-FD-HL-5型霍耳效應實驗儀具有以下優(yōu)點:

  1.采用砷化鎵霍耳元件測量,該霍耳元件具有靈敏度,線性范圍廣,溫度系數(shù)小的點,由于霍耳元件的作電小,電磁鐵的勵磁電也小,因而實驗數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠。

  2.實驗電路布局合理,更多地從教學的實際效果和科研的應用考慮。如待測樣品和探測元件的形狀結構學生可明顯觀察;用個數(shù)字電壓表可分別測量霍耳電壓和霍耳電等,實驗教學效果很好。

  3.儀器具有保護裝置,使用壽命長。

  本儀器可用于等院校、中的基礎物理實驗、性實驗和演示實驗。

  應用本儀器可以成以下實驗:

  1.直磁場情況下,測量霍耳電與霍耳電壓的關系。

  2.測量砷化鎵霍耳元件的靈敏度。

  3.用砷化鎵霍耳元件測量矽鋼片材料的磁化曲線。

  儀器主要參數(shù):

  1.直穩(wěn)電源 量程0-500mA,數(shù)顯分辨率1mA。

  2.四位半數(shù)字電壓表 量程0-2V,分辨率0.1mV。

  3.數(shù)字式斯拉計 量程0-0. 35T,分辨率0.0001T。




2.  緣靴緣手套試驗機 緣手套試驗機 緣靴試驗機 型號:HAD-GC897

HAD-GC897 緣靴緣手套試驗機按《電力安器具預防性試驗規(guī)程》要求,對緣靴或緣手套行智能化的預防性試驗。本試驗機由測量裝置和數(shù)據(jù)處理裝置兩分組成。

試驗范圍 

 20kV 緣靴 

 30kV 緣靴 

 低壓型緣手套 

 壓型緣手套 

 其它泄漏電測量試驗 

儀器點 

 試驗數(shù)據(jù)無線傳輸,低壓隔離,對安 

 采用電表保護,表頭經(jīng)久耐用 

 多達6只試樣同時試驗,提作效率 

 用容器,安裝方便快捷 

 中文提示,參數(shù)顯示,操作簡單 

 自動打印檢測報告 

性能參數(shù) 

 測量泄漏電范圍:交 0~19.99mA ,分辨率: 0.01 mA 

 測量度:誤差≤讀數(shù) 2% ±2 個字 

 測量裝置電池供電作時間不小于 4 小時 

 測量裝置電池:6V/4AH 免維護鉛蓄電池,zui長充電時間8小時 

 數(shù)據(jù)處理裝置和測量裝置的耗均小于 20W 

 測量裝置:長1300mm×寬600mm×1200mm,重40kg 

 數(shù)據(jù)處理裝置:長300mm×寬220mm×210mm,重5kg



 3.  新型螺線管磁場測定儀     型號;HAD-FD-ICH-II

用霍耳元件測量通電螺線管內的磁場分布是校理科物理實驗教學大綱中的個重要實驗。,該儀器采用的集成線性霍耳元件測量通電螺線管內的弱磁場,解決了般霍耳元件存在的靈敏度低,剩余電壓干擾及螺線管溫升引起輸出不穩(wěn)定等不足,因而能測量通電螺線管磁場分布,了解和掌握集成線性霍耳元件測量磁場的原理和方法以及學會測量霍耳元件靈敏度的方法。考慮到教學實驗儀器經(jīng)久耐用的需要,本儀器電源和傳感器還有保護裝置。本儀器物理內容豐富、結構合理、裝置牢靠、直觀性強、數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠,是校物理實驗的優(yōu)質教學儀器??捎糜谛!⒅械葘W生的基礎物理實驗及“傳感器原理”課程的傳感器實驗,以及課堂演示實驗。

  應用該儀器可以成以下實驗:

  1.測量霍耳傳感器的靈敏度,驗證霍耳傳感器輸出電勢差與螺線管內磁感應強度成正比。

  2.測量螺線管內磁感應強度與位置間的關系,求得螺線管均勻磁場范圍及邊緣的磁感應強度。

  3.學習補償原理在磁場測量中的應用。

  4.測量地磁場的水平分量(選做)。

  儀器主要參數(shù):

  1.95A型集成霍耳傳感器 線性作電壓 DC5V

   磁場測量范圍 -67mT -+67mT

   靈敏度    31.3±1.3V/T

  2. 螺線管 長度 26.0cm,內徑Φ2.5cm,外徑Φ4.5cm,層數(shù) 10層,螺線管匝數(shù) 3000±20匝,中央均勻磁場長度 >10.0cm。

  3. 數(shù)字恒源 0—0.5A輸出電(配三位半數(shù)字電壓表量程0—0.5A,分辨率1mA)

  4.四位半數(shù)字電壓表 量程0-20V和0-2V兩檔,分辨率分別為1mV和0.1mV



4.  亥姆霍茲線圈磁場測定儀     型號;HAD-FD-HM-I

 亥姆霍茲線圈磁場測定是綜合性大學和科院校物理實驗教學大綱中的重要實驗之。該實驗可以學習和掌握弱磁場測量方法,證明磁場迭加原理,根據(jù)教學要求描繪磁場分布等。傳統(tǒng)的亥姆霍茲線圈磁場測量實驗,般用探測線圈配以針式交電壓表測量磁感應強度。由于線圈體積大,針式交電壓表等低等原因,測量的誤差較大。

  近年來,在科研和業(yè)中,集成霍耳傳感器由于體積小,測量準確度,易于移動和定位,所以被廣泛應用于磁場測量。例如, 95A型集成霍耳傳感器就是種靈敏度的優(yōu)質磁場傳感器,用它探測載線圈及亥姆霍茲線圈的磁場,準確度比用探測線圈得多。用靈敏度集成霍耳傳感器測量弱交、直磁場的方法已在科研與業(yè)中廣泛應用。

  本儀器采用的 95A型集成霍耳傳感器作探測器,用直電壓表測量傳感器輸出電壓,探測亥姆霍茲線圈產(chǎn)生的磁場,測量準確度比探測線圈得多,儀器裝置牢靠,實驗內容豐富。

  

  應用該儀器可以成以下實驗:

  1. 測量單個載圓線圈軸線上各點磁感應強度,把測量的磁感應強度與理論計算值;

  2. 測量亥姆霍茲線圈在間距分別為線圈半徑的不同倍數(shù)時,軸線上的磁場分布,并行,步證明磁場迭加原理;

  3. 描繪載圓線圈及亥姆霍茲線圈的磁場分布;

  儀器主要參數(shù):

  1. 靈敏度毫斯拉計 量程 0-2 mT , 分辨率 0.001mT

  2. 直穩(wěn)電源 量程 50-400mA(線圈并接) 穩(wěn)定度 1%

  3.亥姆霍茲 線圈 匝數(shù) 500匝,外徑21cm,內徑19cm

  4.磁感應強度測量 誤差 <5%



5.  動態(tài)磁滯回線測定儀     型號;HAD-FD-BH-2

磁性材料在通訊、信息存儲、電力、電子儀器以及交通具等域都有著十分廣泛的應用。磁化曲線和磁滯回線反映磁性材料在外磁場作用下的磁化性,根據(jù)材料的不同磁性,可以用于電動機、變壓器、電磁鐵、磁記憶元件等。動態(tài)磁滯回線是磁性材料的交磁性,其在業(yè)中有重要應用,因為交電動機、變壓器的鐵芯都是在交狀態(tài)下使用的。

  本公司研制的 HAD-FD-BH-2型動態(tài)磁滯回線實驗儀具有以下點:1)提供形狀尺寸相同的軟磁鐵氧體和硬磁模具鋼兩種典型磁性材料行磁性測量,可明顯它們的磁性參數(shù)不相同,并可測量在磁場強度較小時,硬磁材料橢圓磁滯回線磁參數(shù)(復數(shù)); 2)正弦信號源與220伏交電源隔離(浮地),實驗安可靠;3)提供準確度較的交數(shù)字電壓表和細調正弦信號源。校準示波器X軸和Y軸分度值(定標)相當方便、準確。本儀器是觀測動態(tài)磁滯回線的優(yōu)質儀器,可供等院校、中等業(yè)學校等基礎物理實驗,性綜合性實驗和演示實驗使用。

  應用本儀器可以成以下實驗:

  1.測量軟磁鐵氧體和硬磁模具鋼的基本磁化曲線和磁滯回線,求材料飽和磁感應強度、矯頑磁力和剩磁值,磁導率與磁場強度關系。

  2.觀察交頻率對磁性材料磁性參數(shù)的影響。

  3.學習用正弦信號和交數(shù)字電壓表對示波器X軸和Y軸分度值行定標。

  4.觀察在磁場強度較小時,硬磁材料橢圓磁滯回線,測量橢圓磁滯回線的交磁性參數(shù)。

  儀器主要參數(shù):

  1.正弦波信號發(fā)生器 頻率15Hz-115Hz,連續(xù)可調,輸出信號交0-7V,連續(xù)細調。

  2.交數(shù)字電壓表 量程2V,分辨率0.001V,浮地。

  3.初線圈串聯(lián)電阻 2歐姆,次線圈串聯(lián)電阻50K歐姆,電容4.7微法。



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