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NPE-4000（ICPM） ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
- 公司名稱 那諾中國(guó)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) NPE-4000（ICPM）
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2023/11/13 12:00:49
- 訪問次數(shù) 2895
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ALD，PECVD，RIE，磁控濺射，熱蒸鍍，電子束，離子束，晶圓清洗機(jī)，PA-MOCVD，飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS）
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子,制藥 |
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ICPECVD沉積技術(shù)
NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER ICPECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到z大可達(dá)6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)應(yīng)用：
- 等離子誘導(dǎo)表面改性：就是通常所說的用等離子實(shí)現(xiàn)表面改性(如親水性、疏水性等)
- 等離子清洗：去除有機(jī)污染物
- 等離子聚合：對(duì)材料表面產(chǎn)生聚合反應(yīng)
- 沉積二氧化硅、氮化硅、DLC(類金剛石)，以及其它薄膜
- CNT(碳納米管)和石墨烯的選擇性生長(zhǎng)：在需要的位置生長(zhǎng)CNT或石墨烯。
NPE-4000（ICPM）特點(diǎn)：
- 立式ICPECVD系統(tǒng)
- 不銹鋼或鋁制腔體
- 極限真空可達(dá)10-7Torr
- ICP離子源
- 高達(dá)12”(300mm)直徑的樣品臺(tái)
- RF射頻偏壓樣品臺(tái)
- 水冷樣品臺(tái)
- 可加熱到的800 °C樣品臺(tái)
- 加熱的氣體管路
- 加熱的液體傳送單元
- 抗腐蝕的渦輪分子泵組
- z大可支持到8MFC
- 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
- 菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問保護(hù)
- 完整的安全聯(lián)鎖
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