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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>常用儀表>光學(xué)儀表>光學(xué)測(cè)量?jī)x>LD-GAP1000 美國(guó)GPD銦鎵砷InGaAs光電探測(cè)器（0.5um-2.6um）

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LD-GAP1000 美國(guó)GPD銦鎵砷InGaAs光電探測(cè)器（0.5um-2.6um）

參考價(jià) ￥ 1000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng) 西安立鼎光電科技有限公司
  • 品牌
  • 型號(hào) LD-GAP1000
  • 產(chǎn)地 美國(guó)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2016/8/25 9:42:03
  • 訪問(wèn)次數(shù) 4010

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       西安立鼎光電科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)從事短波紅外成像系統(tǒng)及光電測(cè)試裝備的研發(fā)生產(chǎn)、系統(tǒng)集成、銷(xiāo)售服務(wù)為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司專(zhuān)注于為客戶(hù)提供從元件、組件、部件到全套光電系統(tǒng)產(chǎn)品的完整解決方案。

       近年來(lái)，公司研制的短波紅外成像系統(tǒng)在激光光斑檢測(cè)、半導(dǎo)體檢測(cè)、激光通信、光譜成像、激光切割、生物醫(yī)療、天文觀測(cè)、安防、星敏感器、激光制導(dǎo)、反偵聽(tīng)、激光測(cè)振等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

       多年來(lái)，根據(jù)用戶(hù)需求定制的多款光電測(cè)試裝備，為用戶(hù)產(chǎn)品的性能指標(biāo)保證發(fā)揮了重要作用，得到了客戶(hù)的高度認(rèn)可。




全波段光電探測(cè)器（0.2-26um），短波紅外相機(jī)(0.9-1.7um)，紅外 熱像儀，微光夜視儀，成像機(jī)芯(0.9-1.7um/3-5um/8-14um)，EMCCD/SCMOS相機(jī)， 光功率計(jì)/能量計(jì)，光譜分析儀，光纖滑環(huán)，激光器，激光測(cè)距機(jī)

美國(guó)GPD銦鎵砷InGaAs光電探測(cè)器（0.5um-2.6um）

InGaAs探測(cè)器產(chǎn)品介紹

Paremeter

Active area（mm）

Cut off wavelength

A/W min. (typ.)

NEP  W/ÖHz min.

Dark Current max.

Package

LD-GAP500

05

1.7um

0.95@1550nm

0.8x10-14

30 @5V(nA)

TO46

LD-GAP1000

1

1.7um

0.95@1550nm

1x 10-14

100 @5V(nA)

TO46

LD-GAP2000

2

1.7um

0.95@1550nm

3 x10-14

200 @1V(nA)

TO5

LD-GAP3000

3

1.7um

0.95@1550nm

5 x10-14

500 (@1V(nA)

TO5

LD-GAP5000

5

1.7um

0.95@1550nm

28 x10-14

10mA(@0.3V(nA)

TO5

LD-GAP300-1.9

0.3

1.9um

0.9/1.0

3 x10-14

0.1@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-1.9

0.5

1.9um

0.9/1.0

9 x10-14

0.9@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-1.9

1

1.9um

0.9/1.0

0.13 x10-12

4@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-1.9

2

1.9um

0.9/1.0

0.26x10-12

10@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-1.9

3

1.9um

0.9/1.0

0.38 x10-12

22.5@1V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.05

0.3

2.05um

0.9/1.0

5.7 x10-14

0.5@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.05

0.5

2.05um

0.9/1.0

8.1 x10-14

1@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.05

1

2.05um

0.9/1.0

23.4 x10-14

4@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.05

2

2.05um

0.9/1.0

42.8 x10-14

10@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.05

3

2.05um

0.95/1.1

90.7 x10-14

12@0.5V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.2

0.3

2.2um

0.9/1.0

0.14x10-12

1@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.2

0.5

2.2um

0.9/1.0

0.22x10-12

5@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.2

1

2.2um

0.9/1.0

0.46x10-12

10@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.2

2

2.2um

0.9/1.0

1.28 x10-12

40@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.2

3

2.2um

0.9/1.0

2.87x10-12

100@1V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.6

0.3

2.6um

0.9/1.0

0.81x10-12

13@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.6

0.5

2.6um

0.9/1.0

1.43x10-12

20@0.5V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.6

1

2.6um

0.9/1.0

2.03x10-12

80@0.5V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.6

2

2.6um

1.0

3.31x10-12

320@0.5V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.6

3

2.6um

1.0

5.74x10-12

500@0.5V(uA)

TO5

 

提供專(zhuān)業(yè)定制，封裝形式多樣，可根據(jù)客戶(hù)要求選擇封裝形式，并客戶(hù)可依據(jù)需求定制不同的封裝的產(chǎn)品以及可定制TE制冷產(chǎn)品。

美國(guó)GPD銦鎵砷InGaAs光電探測(cè)器（0.5um-2.6um）

Paremeter

Active area（mm）

Cut off wavelength

A/W min. (typ.)

NEP  W/ÖHz min.

Dark Current max.

Package

LD-GAP1000TE1

1

1.7um

0.95/1.0

5.4x10-15

3@5V(nA)

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1

2

1.1x10-14

20@2V(nA)

LD-GAP3000TE1

3

1.1x10-14

50@2V(nA)

LD-GAP5000TE1

5

2.4x10-14

100@0.1V(nA)

LD-GAP1000TE1-2.05

1

2.05um

0.9/1.0

5.4x10-14

500@1V(nA)

 

 

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1-2.05

2

1.3x10-13

1100@1V(nA)

LD-GAP3000TE1-2.05

3

3.2x10-13

1360@1V(nA)

LD-GAP1000TE1-2.2

1

2.2um

0.9/1.0

1.6x10-13

1250@1V(nA)

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1-2.2

2

1.1x10-12

5000@1V(nA)

LD-GAP3000TE1-2.2

3

5.5x10-13

6250@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE1-2.6

1

2.6um

0.9/1.0

6x10-13

8000@0.5V(nA)

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1-2.6

2

9.8x10-13

32000@0.5V(nA)

LD-GAP3000TE1-2.6

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1.7x10-12

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LD-GAP1000TE2

1

1.7um

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3.7x10-15

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LD-GAP2000TE2

2

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LD-GAP3000TE2

3

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20@2V(nA)

LD-GAP5000TE2

5

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LD-GAP1000TE2-2.05

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TO8/TO66

LD-GAP2000TE2-2.05

2

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LD-GAP3000TE2-2.05

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LD-GAP1000TE2-2.2

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LD-GAP2000TE2-2.2

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LD-GAP3000TE2-2.2

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LD-GAP1000TE2-2.6

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LD-GAP2000TE2-2.6

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LD-GAP3000TE2-2.6

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22700@0.5V(nA)

 



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