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LD-IS-010 美國(guó)EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器(1.0um-3.8um)
參考價(jià) | ¥ 1500 |
訂貨量 | ≥1 |
- 公司名稱 西安立鼎光電科技有限公司
- 品牌
- 型號(hào) LD-IS-010
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2016/8/25 9:49:21
- 訪問次數(shù) 1707
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全波段光電探測(cè)器(0.2-26um),短波紅外相機(jī)(0.9-1.7um),紅外 熱像儀,微光夜視儀,成像機(jī)芯(0.9-1.7um/3-5um/8-14um),EMCCD/SCMOS相機(jī), 光功率計(jì)/能量計(jì),光譜分析儀,光纖滑環(huán),激光器,激光測(cè)距機(jī)
美國(guó)EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器(1.0um-3.8um):
簡(jiǎn)介:在室溫的條件下,該產(chǎn)品具有很高的靈敏度,還有一些附件支持,如濾光片(長(zhǎng)波濾光片和帶通濾光片)、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應(yīng)用在工業(yè)的控制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測(cè)試設(shè)備。
美國(guó)EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器(1.0um-3.8um)
室溫條件下:
型號(hào) | InAs-010 | InAs-020 |
Active Diameter (mm) | 1.0 | 2.0 |
Operating Temperature (℃) | 22 | 22 |
Operating Wavelength(μm) | 1.0-3.4 | 1.0-3.4 |
Shunt Resistance (Ω)typ | ≥15 | ≥10 |
Shunt Capacitance (pF),typ | 400 | 1200.nom |
NEP @1.3μm (W/Hz1/2) | 33x10-12 | 5.5x10-11 |
Responsivity(A/W) | 1.0 @3.2μm | 0.8 typ |
二級(jí)制冷條件下:
型號(hào) | InAs-010-TE2_TO8 | InAs-020-TE2_TO8 |
Operating Temperature (℃) | -30 | -30 |
Responsivity(A/W) | 1.4 min@3.2μm | 1.5 |
Shunt Resistance (Ω) | 500 | 100 |
Shunt Capacitance (pF) | 450 | 1200 |
Thermistor Resistance (KΩ) | 40.0typ | 40.0typ |
Cooler Current(A) | 0.65TYP | 0.65TYP |
Max Cooler Current (A) | 1.25 |