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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>常用儀表>光學(xué)儀表>光學(xué)測量儀>PV-n vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）

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PV-n vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）

參考價(jià) ￥ 10000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 西安立鼎光電科技有限公司
  • 品牌 VIGO PHOTONICS
  • 型號 PV-n
  • 產(chǎn)地 波蘭
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2016/8/25 10:39:43
  • 訪問次數(shù) 2379
產(chǎn)品標(biāo)簽

碲鎘汞室溫光電探測器vigoHgCdTe

聯(lián)系方式：蔣成軍查看聯(lián)系方式

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       西安立鼎光電科技有限公司是一家專業(yè)從事短波紅外成像系統(tǒng)及光電測試裝備的研發(fā)生產(chǎn)、系統(tǒng)集成、銷售服務(wù)為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司專注于為客戶提供從元件、組件、部件到全套光電系統(tǒng)產(chǎn)品的完整解決方案。

       近年來，公司研制的短波紅外成像系統(tǒng)在激光光斑檢測、半導(dǎo)體檢測、激光通信、光譜成像、激光切割、生物醫(yī)療、天文觀測、安防、星敏感器、激光制導(dǎo)、反偵聽、激光測振等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

       多年來，根據(jù)用戶需求定制的多款光電測試裝備，為用戶產(chǎn)品的性能指標(biāo)保證發(fā)揮了重要作用，得到了客戶的高度認(rèn)可。




全波段光電探測器（0.2-26um），短波紅外相機(jī)(0.9-1.7um)，紅外 熱像儀，微光夜視儀，成像機(jī)芯(0.9-1.7um/3-5um/8-14um)，EMCCD/SCMOS相機(jī)， 光功率計(jì)/能量計(jì)，光譜分析儀，光纖滑環(huán)，激光器，激光測距機(jī)

vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）

非制冷光電探測器

1、PV系列（2-12μm紅外光電探測器）

 

  特點(diǎn)：室溫下工作；無需偏置；響應(yīng)時(shí)間短；無閃動(dòng)噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動(dòng)態(tài)范圍寬；低成本；可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。

  描述：PV-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是紅外光電探測器，這些裝置在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以達(dá)到*的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的變隙半導(dǎo)體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進(jìn)的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。

詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PV-3         

PV-4         

PV-5

PV-6

PV-8

*特性波長λop

μm

3

4

5

6

8

探測率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

 

≥8?109

≥5?109

 

≥1.5?109

≥1?109

 

≥8?108

≥5?108

 

≥4?108

≥2?108

 

≥8?107

≥4?107

響應(yīng)度

A/W

≥1.2

≥1.2

≥1.2

≥1

≥0.5

響應(yīng)時(shí)間τ

ns

≤15 **

≤15**

≤15**

≤12**

≤7**

并聯(lián)電阻-光學(xué)面積

Ω·cm 2

≥0.05

≥0.01

≥0.003

≥0.001

≥0.0002

光學(xué)面積（長 × 寬）

或直徑  (園形)

mm x mm

mm

0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

ø0.025; ø0.05; ø0.1; ø0.25; ø0.5; ø1; ø2; ø3

工作溫度

K

300

視場, F#

deg

60, 0.5

2、PVI系列（2-12μm紅外光電探測器、光侵入式）

特點(diǎn)：室溫下工作；無需偏置；響應(yīng)時(shí)間短；無閃動(dòng)噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動(dòng)態(tài)范圍寬；低成本；可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。

  描述：PVI-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列探測器是紅外光電探測器，使用用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標(biāo)準(zhǔn)）或者半球透鏡（可選）進(jìn)行光浸入。這些裝置在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以達(dá)到*的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的變隙半導(dǎo)體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來獲得?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進(jìn)的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）

詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PVI-3

PVI-4

PVI-5

PVI-6

PVI-8

*特性波長λop

μm

3

4

5

6

8

探測率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

≥2E10

≥1.5E10

 

≥6E9

≥4E9

 

≥3E9

≥2E9

 

≥2E9

≥1E9

 

≥3E9

≥1.5E8

響應(yīng)度

A/W

≥1.2

≥1.3

≥1.3

≥1.2

≥1

響應(yīng)時(shí)間τ

ns

≤15**

≤15**

≤15**

≤12**

≤7**

并聯(lián)電阻-光學(xué)面積

Ω·cm 2

≥5

≥1

≥0.3

≥0.1

≥0.02

光學(xué)面積（長×寬）

或直徑  (圓形)

mm x mm

 mm

0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3

工作溫度

K

300

視場, F#

deg

35, 1.65

3、PVM系列（2-12μm紅外光電探測器、倍增結(jié)構(gòu)）

 

特點(diǎn)：室溫下工作；無需偏置；響應(yīng)時(shí)間短；無閃動(dòng)噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動(dòng)態(tài)范圍寬；低成本；可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。

  描述：PVM-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是多重異質(zhì)結(jié)紅外光電探測器，這些裝置專門用于大范圍內(nèi)的探測，工作在8～12µm的范圍。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的變隙半導(dǎo)體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來獲得?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧⒍嘣嚵?、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進(jìn)的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。

詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PVM-8

PVM-10.6

*特性波長λop

μm

8

10.6

探測率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

≥1.2E8

≥6E7

 

≥3E7

≥1E7

響應(yīng)度（at λop*）

V·mm/W

≥0.6

≥0.1

響應(yīng)時(shí)間τ

ns

≤7

≤1

電阻

Ω

15-300

10-150

光學(xué)面積(矩形長×寬)

mm x mm

0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2

工作溫度

K

300

視場, F#

Deg

60, 0.5

4、PVMI系列（2-12μm紅外光電探測器、倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式）

 

特點(diǎn)：室溫下工作；無需偏置；響應(yīng)時(shí)間短；無閃動(dòng)噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動(dòng)態(tài)范圍寬；大面積裝置；低成本；可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。

   描述：PVMI-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是多重異質(zhì)結(jié)紅外光電探測器，使用用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標(biāo)準(zhǔn)）或者半球透鏡（可選）進(jìn)行光浸入。這些裝置工作在8～12微米的范圍內(nèi)特別用于大范圍探測。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的變隙半導(dǎo)體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來獲得?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進(jìn)的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。

   詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PVMI-8

PVMI-10.6

*特性波長λop

μm

8

10.6

探測率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

≥6?108

≥3?108

 

≥2?108

≥1?108

響應(yīng)度–at λop

V×mm/W

≥3

≥0.5

響應(yīng)時(shí)間τ

ns

≤7

≤1

電阻

Ω

15-300

10-150

光學(xué)面積 （長 × 寬）

mm× mm

0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

工作溫度

K

300

視場, F#

deg

35, 1.65

5、PC系列（2-12μm紅外光電導(dǎo)探測器）

特點(diǎn)：室溫下工作；D*(10.6 µm)達(dá)到6*107 cmHz1/2/W；響應(yīng)時(shí)間≤1ns；與快速邏輯元器件*兼容；使用方便；低成本；及時(shí)交貨；可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。

描述：PC-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列是高速、室溫工作的紅外光電導(dǎo)探測器。這些裝置在2～12微米范圍內(nèi)的任意值可以達(dá)到*的性能。。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的變隙半導(dǎo)體HgCdZnTe（優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理）來獲得。用小型輕巧耐用的包裝封裝的。每個(gè)探測器都提供性能參數(shù)。探測器適用于外差探測，高頻輻射探測要求響應(yīng)時(shí)間短并與快速元器件兼容，以及能夠與快速電子學(xué)匹配的高頻輻射。可以按客戶所定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。

詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PC-4

PC-5

PC-6

PC-9

PC-10.6

*特性波λop

µm

4

5

6

9

10.6

探測率:

at ?λpeak,20kHz

at λop, 20kHz

cmHz1/2/W

>4E9

>2E9

>2E9

>1E9

>6E8

>3E8

>6E9

>2E7

 

>1E7

>4E6

響應(yīng)度-@λop

Vmm/W

>100

>40

>6

>0.4

>0.05

響應(yīng)時(shí)間τ

ns

<1000

<500

<200

<2

<1

1/f噪聲拐點(diǎn)頻率

kHz

1-10

1-10

1-10

1-10

1-20

有效面積(長×寬)

mm × mm

0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;3×3;4×4

偏置電流-寬度比*

mA/mm

1－10

1－10

1－10

1－10

1－20

薄層電阻系數(shù)

Ω/sqr

300-1000

200-400

100-300

50-150

40-120

視場, F#*

deg

60, 0.5

6、PCI系列（2-12μm紅外光電導(dǎo)探測器、光入浸式）

 

特點(diǎn)：室溫下工作；D*(10.6 µm)達(dá)到3*108cmHz1/2/W；響應(yīng)時(shí)間≤1ns；動(dòng)態(tài)范圍寬；與快速邏輯元器件*兼容；使用方便；低成本；及時(shí)交貨；可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。

描述：PCI-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列的電探測器是非冷卻紅外光電探測器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標(biāo)準(zhǔn)）或者半球透鏡（可選）進(jìn)行光浸入。這些裝置在2～12µm范圍內(nèi)的任意值可以達(dá)到*的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性通過開發(fā)的變隙（HgCdZnTe）半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來獲得?？梢园纯蛻羲ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧⒍嘣嚵?、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。

詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PCI-4

PCI-5

PCI-6

PCI-9

PCI-10.6

*特性波長λop

µm

4

5

6

9

10.6

探測率:

at λ? peak, 20kHz

at λop, 20kHz

cmHz1/2/W

 

>1E10 >6E9

 

>7E9

>4E9

 

>2E9

>1E9

 

>3E8

>1E8

 

>2E8

>5E7

響應(yīng)度-@λop

Vmm/W

>600

>300

>60

>3

>2

響應(yīng)時(shí)間τ

ns

<1000

<500

<200

<2

<1

1/f噪聲拐點(diǎn)頻率

kHz

1-10

1-10

1-10

1-10

1-20

有效面積(長×寬)

mm×mm

0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2

偏置電流-寬度比

mA /mm

1－2

2－4

3－10

3－15

5－20

薄層電阻系數(shù)

Ω/sqr

300-1000

200-400

100-300

50-150

40-120

視場, F#

deg

35,1.65



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