硅晶圓片（通用耗材）

隨著半導(dǎo)體、微電子行業(yè)的發(fā)展，硅晶圓片（通用耗材）的用途越來(lái)越廣泛。比如半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域、X射線晶體分析、磁控濺射樣品生長(zhǎng)、原子力、紅外光譜測(cè)試分析、PVD/CVD鍍膜襯底等。我們提供各種不同直徑、厚度、電阻、級(jí)別和應(yīng)用場(chǎng)景的硅片，請(qǐng)將您的參數(shù)要求發(fā)給我們，如有疑難，也請(qǐng)。

哪里可以快速買到硅片作為基片，當(dāng)然是這里！我們主要為國(guó)內(nèi)的科研院所、高校提供高品質(zhì)的硅片襯底，高純拋光的硅基底也能夠提供。

選型指導(dǎo)：

產(chǎn)品舉例：

我們致力于為客戶提供全面的硅片（Silicon Wafer）解決方案，從測(cè)試級(jí)硅片（Test Wafer）到產(chǎn)品級(jí)硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、鍍鋁硅片、鍍銅硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆蓋50mm-300mm。

對(duì)于2D材料的研究，軟光刻硅片，直接放射性核電實(shí)驗(yàn)，等離子體刻蝕硅片，以及微流控芯片平臺(tái)的建立，我們均有成功的經(jīng)驗(yàn)。

小常識(shí)：

將某一特定晶向的硅種子(種子,通常為一小的晶棒)棒插入熔融液態(tài)硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和種子相同晶向的晶柱就被生產(chǎn)出來(lái)。將晶柱切割成多個(gè)一定厚度的圓片片,通常稱呼的wafer就被制造出來(lái)了。初步切割出來(lái)的wafer表面，通常比較粗糙,無(wú)法用作晶圓生產(chǎn)，因而通常都在后續(xù)工藝中進(jìn)行拋光，拋光片的名詞就由此而來(lái)。針對(duì)不同晶圓制造要求，通常需要向粗制晶圓內(nèi)摻雜一些雜質(zhì)，如P、B等，以改變其電阻值,因而就有了低阻、高阻、重?fù)降让~。鍍膜片可以理解為外延片Epi，是針對(duì)特定要求的半導(dǎo)體裝置而制定的wafer,通常是在IC和特殊IC上使用，如絕緣體上Si(SOI)等。

用Czochralski(CZ)晶體生長(zhǎng)法或浮區(qū)（floatzone）（FZ）生長(zhǎng)法生成單晶硅。超大規(guī)模集成電路應(yīng)用更多采用Czochmlski硅，因?yàn)樗?/span>FZ材料有更多的耐熱應(yīng)力能力，而且它能提供一種內(nèi)部吸雜的機(jī)械裝置，該裝置能從硅片表面上的器件結(jié)構(gòu)中去除不需要的雜質(zhì)。因?yàn)槭窃诓慌c任何容器或坩堝接觸的情況下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的純度（從而有更高的電阻率）。器件和電路所需的高純起始材料（如高壓，高功率器件）一般都用FZ硅。

我們的低應(yīng)力PECVD氮化是一個(gè)單面膜，已優(yōu)化為晶圓需要小的熱處理。因?yàn)榈蛻?yīng)力PECVD氮化物是在低溫下沉積的，它提供了更大的靈活性，可以沉積在任何其他薄膜上。

我們提供獨(dú)立式超薄超平硅片，厚度從5µm到100µm不等，直徑從5毫米到6英寸。薄硅片是真正的鏡面光潔度DSP，良好的表面平整度，無(wú)霧，無(wú)空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1µm。

我們的單晶太陽(yáng)能硅片的效率高達(dá)19.5%。什么是太陽(yáng)能效率，陽(yáng)光光子擊中太陽(yáng)能晶片在一個(gè)特定的空間的百分比。更高的效率意味著發(fā)電所需的比表面積更小。因此，小型屋頂將希望使用更高的效率面板，以彌補(bǔ)較小的表面積。