HSBG-E7200AACB3U1LG2LX料位開(kāi)關(guān)射頻導(dǎo)納式

測(cè)量原理：

射頻導(dǎo)納是一種從電容式發(fā)展起來(lái)的、防掛料、更可靠、更準(zhǔn)確、適用性更廣的新型物位控制技術(shù)，是電容式物位技術(shù)的升級(jí)。所謂射頻導(dǎo)納，導(dǎo)納的含義為電學(xué)中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無(wú)線電波譜，所以射頻導(dǎo)納可以理解為用高頻無(wú)線電波測(cè)量導(dǎo)納。儀表工作時(shí)，儀表的傳感器與灌壁及被測(cè)介質(zhì)形成導(dǎo)納值，物位變化時(shí)，導(dǎo)納值相應(yīng)變化，電路單元將測(cè)量導(dǎo)納值轉(zhuǎn)換成物位信號(hào)輸出，實(shí)現(xiàn)物位測(cè)量。

技術(shù)參數(shù)：

1、電源電壓：220CAC±15% 50Hz；24VDC±5%；

2、消耗功率：4W；

3、輸出信號(hào)：繼電器輸出雙刀雙擲（DP/DT）；5安（阻性）、220VAC；

4、環(huán)境溫度：-40～70℃；

5、靈敏度設(shè)置：0.5～500pF(可調(diào))；

6、延時(shí)時(shí)間：0～30秒可調(diào)(開(kāi)或關(guān))；

7、失電保護(hù)模式：低位或高位故障報(bào)警，現(xiàn)場(chǎng)可調(diào)。

8、安裝形式：⑴法蘭安裝：按用戶提供的法蘭標(biāo)準(zhǔn)；

它可以檢測(cè)所有物料而不受物料的密度、顆粒大小、化學(xué)成分、沉積粘度和導(dǎo)電特性等參數(shù)變化的影響。應(yīng)用于液體、粉體、漿體、固體等多種物料的控制。

工作原理：

點(diǎn)位射頻導(dǎo)納技術(shù)與電容技術(shù)的重要區(qū)別是采用了三端技術(shù)。在電路單元測(cè)量信號(hào)上引出一根線，經(jīng)同相放大器放大，其輸出與同軸電纜屏蔽層相連，然后連接到探頭的屏蔽層上。該放大器是一個(gè)同相放大器，其增益為“1”，輸出信號(hào)與輸入信號(hào)等電位，同相位，同頻率，但互相隔離。地線是電纜中*外面的屏蔽層。由于同軸電纜的中心線與中間屏蔽存在上述關(guān)系，所以二者之間沒(méi)有電位差，也就沒(méi)有電流流過(guò)，即沒(méi)有電流從中心線漏出來(lái)，相當(dāng)于二者之間沒(méi)有電容或者說(shuō)電容為零。因此電纜的溫度效應(yīng)，安裝電容等也就不會(huì)產(chǎn)生影響。對(duì)于探頭上的掛料問(wèn)題，采用一種新的探頭結(jié)構(gòu)，五層同心結(jié)構(gòu)：*里層是中心測(cè)桿，中間是中心屏蔽層，*外邊是接地的安裝螺紋，用絕緣層將其分別隔離開(kāi)來(lái)。

與同軸電纜的情況是一樣的，中心測(cè)桿與屏蔽層之間沒(méi)有電勢(shì)差，即使傳感元件上掛料阻抗很小，也不會(huì)有電流流過(guò)，電子儀器測(cè)量的僅僅是從探頭中心到對(duì)面罐壁的電流，因?yàn)橹行脑茏璧K電流沿探頭向上流向容器壁，因而對(duì)地電流只有經(jīng)探頭末端通過(guò)被測(cè)物料到對(duì)面容器。即Ua=Ub lab=(Ua－Ub)/R=0。由于屏蔽層與容器壁之間存在電勢(shì)差，兩者之間雖有電流流過(guò)，但是該電流不被測(cè)量，不影響測(cè)量結(jié)果。這樣就將測(cè)量端保護(hù)起來(lái)，不受掛料的影響。只有容器中的物位確實(shí)上升接觸到中心測(cè)量桿時(shí)，通過(guò)被測(cè)物料，中心測(cè)桿與地之間形成被測(cè)電流。

HSBG-E7200AACB3U1LG2LX料位開(kāi)關(guān)射頻導(dǎo)納式

湖北開(kāi)航公司部分產(chǎn)品：

BL02-201-505射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)
射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)MG8610N-19A1B2C3SXPM41L3000  
防爆射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)MG8610N-19A1B2C3EXPM41L2000  
射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)MG8610N-19A1B2C3SXPM41L2000
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