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FSM 500TC 高溫薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備

具體成交價以合同協(xié)議為準

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岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司(Dymek Company Ltd ,下面簡稱岱美)成立于1989年,是一間擁有多年經(jīng)驗的高科技設(shè)備分銷商,主要為數(shù)據(jù)存儲、半導(dǎo)體、光通訊、高校及研發(fā)中心提供各類測量設(shè)備、工序設(shè)備以及相應(yīng)的技術(shù)支持,并與一些重要的客戶建立了長期合作的關(guān)系。自1989年創(chuàng)立至今,岱美的產(chǎn)品以及各類服務(wù)、解決方案廣泛地運用于中國香港,中國大陸(上海、東莞、北京),中國臺灣,泰國,菲律賓,馬來西亞,越南及新加坡等地區(qū)。


岱美在中國大陸地區(qū)主要銷售或提供技術(shù)支持的產(chǎn)品:

晶圓鍵合機、納米壓印設(shè)備、紫外光刻機、涂膠顯影機、硅片清洗機、超薄晶圓處理設(shè)備、光學(xué)三維輪廓儀、硅穿孔TSV量測、非接觸式光學(xué)三坐標測量儀、薄膜厚度檢測儀、主動及被動式防震臺系統(tǒng)、應(yīng)力檢測儀、電容式位移傳感器、定心儀等。


岱美重要合作伙伴包括有:

Thetametrisis, EVG, FSM, Opto-Alignment, Herz, PLSINTEC, Film Sense, Reditech, Lazin, Delcom, Microsense, Shb, boffotto, RTEC, Kosaka, Nanotronics, MTInc, 4D, Daeil, Microphysics,

n&k Technology, First Nano, Schmitt, LESCO, Otsuka, STI, Kurashiki, Ryokosha, SURAGUS, Westbond...


如有需要,請聯(lián)系我們,了解我們?nèi)绾伍_始與您之間的合作,實現(xiàn)您的企業(yè)或者組織機構(gòu)長期發(fā)展的目標。




膜厚儀,輪廓儀,EVG鍵合機,EVG光刻機,HERZ隔震臺,Microsense電容式位移傳感器

應(yīng)用領(lǐng)域 電子,交通,航天,汽車,綜合

美國FSM 高溫薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備


FSM500TC 應(yīng)力測量儀

特殊功能和優(yōu)點

1.   多重導(dǎo)向銷設(shè)計,手動裝載樣品,有優(yōu)異的重復(fù)性與再現(xiàn)性研究。

2.   優(yōu)異的分辨率——測量0.2um弓形高度變化超過 20M 的平鏡(大約 0.8%)

3.   全3D測繪的手動旋轉(zhuǎn)平臺。

4.   測量局部應(yīng)力---測量42 點/mm 并大于8400 點/200mm晶圓。這種測量密度獲得更好的信號噪聲比。

5.   *封閉的設(shè)計,溫度更穩(wěn)定。

6.   特殊的設(shè)計使震動偏移降到低。

7.   圖形式使用界面更容易使用。

8.   當(dāng)改變彈性模數(shù),晶圓或薄膜厚度設(shè)備會自動重新計算應(yīng)力保存數(shù)據(jù)文檔。

9.   可以計算雙軸彈性模量和線膨脹系數(shù)。

10.  可以計算應(yīng)力的均勻性。

11.  可以輸出數(shù)據(jù)到Excel ,提供給SPC 分析

軟件

軟件提供大量參考方案。參考方案是用于轉(zhuǎn)換掃描數(shù)據(jù)組。這種功能可以通過重新計算數(shù)據(jù)組去獲得不同環(huán)境的快速答案,而不用再次測量晶圓,這會節(jié)約許多時間和金錢。

有些情況下初始晶圓是沉積晶圓,而用戶需要參考一張裸片去計算應(yīng)力。我們的軟件可以讓用戶開啟加熱循環(huán),然后清除沉積物做*掃描測量。這為客戶提供了靈活性,不限于*掃描,第二次掃描序列。

多層薄膜測量,用戶可以執(zhí)行在首層第二層以外的不同層的多層掃描。它也允許用戶計算由不同層產(chǎn)生的應(yīng)力或由所有鋪設(shè)層在相同的數(shù)據(jù)文件中提供的組合應(yīng)力。這大大提高了設(shè)備的測量能力,特別適用于研究環(huán)境里。

美國FSM 高溫薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備

為了測量應(yīng)力,單片晶圓在掃描線上會被測量兩次,而晶圓的放置正確是獲得準確和重復(fù)性好的數(shù)據(jù)的關(guān)鍵。因此我們的晶圓卡盤專門設(shè)計成非常容易地準確放置晶圓,這不需要用戶太多的操作技巧,進一步降低對測量數(shù)據(jù)的影響。





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