薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱 巨力光電（北京）科技有限公司
品牌 其他品牌
型號(hào)
產(chǎn)地 美國(guó)
廠商性質(zhì) 代理商
更新時(shí)間 2024/10/16 14:28:13
訪問次數(shù) 4164

產(chǎn)品標(biāo)簽

應(yīng)力測(cè)試應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)薄膜應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)薄膜應(yīng)力測(cè)試薄膜應(yīng)力測(cè)試儀

在線交流發(fā)送詢價(jià) 進(jìn)入商鋪同類產(chǎn)品

聯(lián)系方式：李經(jīng)理18911365393 查看聯(lián)系方式

聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!

索取相關(guān)資料

公司介紹 主營(yíng)產(chǎn)品

巨力光電（北京）有限公司立足于北京市副中心通州區(qū)，專門引進(jìn)歐洲、美國(guó)、日本等國(guó)家制造的先進(jìn)科學(xué)儀器設(shè)備，為客戶提供完備的售前咨詢和售后服務(wù)、技術(shù)支持。公司骨干在該行業(yè)有超過10年的經(jīng)驗(yàn)，專業(yè)的服務(wù)水平、完整的售后服務(wù)體系。

目前主要產(chǎn)品涉及材料科學(xué)、微納米技術(shù)、表面測(cè)量和光電器件、光伏產(chǎn)品、半導(dǎo)體器件的檢測(cè)與研發(fā)等領(lǐng)域。

公司本著以科技為導(dǎo)向、以客戶為中心、以服務(wù)為宗旨，竭誠(chéng)為新老客戶提供貼心的服務(wù)！

展開

AAA 太陽(yáng)光模擬器,IV測(cè)試,雙燈太陽(yáng)光模擬器,太陽(yáng)能電池載流子遷移率測(cè)試系統(tǒng),太陽(yáng)能電池瞬態(tài)光電壓光電流測(cè)試，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池&疊層太陽(yáng)能電池仿真軟件，多通道太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性測(cè)試系統(tǒng)，OLED光譜測(cè)量系統(tǒng)/角譜儀分析儀，OLED仿真軟件，高分子壓電系數(shù)測(cè)試儀，薄膜應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)，薄膜應(yīng)力測(cè)試儀，薄膜熱應(yīng)力測(cè)試儀，桌面原子層沉積系統(tǒng)，鈣鈦礦LED壽命測(cè)試儀，太陽(yáng)能電池量子效率QE測(cè)量系統(tǒng)，石墨烯/碳納米管制備技術(shù)，桌面型納米壓印機(jī)，太陽(yáng)能電池光譜響應(yīng)測(cè)試儀，SPD噴霧熱解成膜系統(tǒng)，電滯回線及高壓介電擊穿強(qiáng)度測(cè)試系統(tǒng)，電容充放電測(cè)試儀，薄膜生長(zhǎng)速率測(cè)試儀

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

薄膜應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)，又名薄膜應(yīng)力計(jì)或薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)！采用非接觸MOS激光技術(shù)；不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析；并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描，從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響；同時(shí)大大提高了測(cè)試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析；

典型用戶：Harvard University 2套，

Stanford University，

Johns Hopkins University，

Brown University 2套，

Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，

西安交通大學(xué)，

中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院等、

半導(dǎo)體和微電子制造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等；

相關(guān)產(chǎn)品：
*實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀（kSA MOS Film Stress Tester）：同樣采用多光束MOS技術(shù)，可裝在各種真空沉積設(shè)備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對(duì)于薄膜生長(zhǎng)過程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測(cè)量和二維成像分析；
*薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester）

薄膜應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：
kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System，kSA MOS Film Stress Mapping System;
1.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍：300mm (XY)（可選）；
2.XY雙向掃描速度：可達(dá)20mm/s；
3.XY雙向掃描平臺(tái)掃描步進(jìn)/分辨率：down to 2 μm ；
4.樣品holder兼容：50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品；
5.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描；
6.成像功能：樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像，及3D成像分析；
7.測(cè)量功能：曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力、Bow和翹曲等；

主要特點(diǎn)：
1.程序化控制掃描模式：?jiǎn)吸c(diǎn)掃描、選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全樣品積掃描；
2.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力2D成像分析；
3.測(cè)量功能：薄膜應(yīng)力、翹曲、曲率半徑等；
4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測(cè)量功能，溫度范圍-65C to 1000C；
5.薄膜殘余應(yīng)力測(cè)量；

實(shí)際應(yīng)用