二維CoSe/NF異質(zhì)結(jié)構(gòu)復(fù)合材料 可定制

摘要：基于密度泛函理論方法,系統(tǒng)研究了二維ZnO/InSe異質(zhì)結(jié)的電子結(jié)構(gòu)和光催化性能.計(jì)算結(jié)果表明,二維ZnO/InSe異質(zhì)結(jié)的晶格失配率為3.3%,形成能為-2.43eV,表明異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定.異質(zhì)結(jié)表現(xiàn)為Ⅱ型能帶對(duì)齊,價(jià)帶和導(dǎo)帶的帶偏置分別為0.51和1.34eV,能夠降低電子和空穴的復(fù)合率,ZnO/InSe異質(zhì)結(jié)的光催化性能.二維ZnO/InSe異質(zhì)結(jié)是帶隙值為2.23eV的直接帶隙半導(dǎo)體材料,對(duì)應(yīng)有的可見(jiàn)光吸收范圍,且光吸收系數(shù)105 cm-1,能夠進(jìn)一步光吸收效率.此外,異質(zhì)結(jié)的帶邊位置分別跨過(guò)水的氧化還原電位,可用于光解水制備氫氣.因此,二維ZnO/InSe異質(zhì)結(jié)是一種有前景的可見(jiàn)光光催化材料.

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