FR-Scanner 自動(dòng)化高速薄膜厚度測(cè)量?jī)x
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司
- 品牌 ThetaMetrisis
- 型號(hào) FR-Scanner
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/11/26 17:09:48
- 訪問次數(shù) 9570
產(chǎn)品標(biāo)簽
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,綜合 |
薄膜厚度測(cè)量是指通過使用膜厚測(cè)量?jī)x器或設(shè)備來準(zhǔn)確測(cè)量薄膜、涂層或其他薄層材料的厚度。薄膜厚度的測(cè)量對(duì)于許多行業(yè)和領(lǐng)域都非常重要，例如電子、光學(xué)、材料科學(xué)、化工等。
常見的方法和工具用于測(cè)量薄膜厚度包括：
1、光學(xué)干涉法：通過光學(xué)干涉原理測(cè)量薄膜的厚度，利用干涉儀器如白光干涉儀或激光干涉儀進(jìn)行測(cè)量。
2、X射線熒光測(cè)厚儀：利用X射線照射樣品表面，通過測(cè)量熒光光譜來確定薄膜厚度。
3、聲表面波測(cè)量?jī)x：利用超聲波在薄膜表面?zhèn)鞑サ奶匦詠頊y(cè)量薄膜厚度。
4、拉伸法：通過在不同拉伸條件下測(cè)量薄膜的拉伸性能來間接推斷薄膜厚度。
5、柱形法：利用柱形物的體積變化來測(cè)量薄膜的厚度。
在進(jìn)行薄膜厚度測(cè)量時(shí)，需要選擇適合的測(cè)量方法和儀器，按照操作說明進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)量，確保結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。同時(shí)，在實(shí)際應(yīng)用中，還需要考慮樣品的特性、表面處理情況以及測(cè)量精度要求等因素。
Thetametrisis薄膜厚度測(cè)量?jī)x FR-Scanner 是一種緊湊的臺(tái)式工具，適用于自動(dòng)測(cè)繪晶圓片上的涂層厚度。FR-Scanner 可以快速和準(zhǔn)確測(cè)量薄膜特性：厚度，折射率，均勻性，顏色等。真空吸盤可應(yīng)用于任何直徑或其他形狀的樣片。
1、應(yīng)用
半導(dǎo)體生產(chǎn)制造：(光刻膠, 電介質(zhì),光子多層結(jié)構(gòu)， poly-Si, Si, DLC, )
光伏產(chǎn)業(yè)
液晶顯示
光學(xué)薄膜
聚合物
微機(jī)電系統(tǒng)和微光機(jī)電系統(tǒng)
基底：透明 (玻璃, 石英, 等等) 和半透明
Thetametrisis薄膜厚度測(cè)量?jī)x的光學(xué)模塊可容納所有光學(xué)部件：分光計(jì)、復(fù)合光源(壽命10000小時(shí))、高精度反射探頭。因此，在準(zhǔn)確性、重現(xiàn)性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性方面保證了優(yōu)異的性能。
Thetametrisis薄膜厚度測(cè)量?jī)x FR-Scanner 通過高速旋轉(zhuǎn)平臺(tái)和光學(xué)探頭直線移動(dòng)掃描晶圓片(極坐標(biāo)掃描)。通過這種方法，可以在很短的時(shí)間內(nèi)記錄具有高重復(fù)性的精確反射率數(shù)據(jù)，這使得FR-Scanner 成為測(cè)繪晶圓涂層或其他基片涂層的理想工具。
2、特征
單點(diǎn)分析(不需要預(yù)估值)
動(dòng)態(tài)測(cè)量
包括光學(xué)參數(shù)(n和k，顏色) o 為演示保存視頻
600 多種的預(yù)存材料
離線分析
免費(fèi)軟件更新
3、性能參數(shù)
4、測(cè)量原理
白光反射光譜(WLRS)是測(cè)量從單層薄膜或多層堆疊結(jié)構(gòu)的一個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)光的反射量，入射光垂直于樣品表面，由于界面干涉產(chǎn)生的反射光譜被用來計(jì)算確定(透明或部分透明或*反射基板上)的薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)(n和k)等。
1、樣片平臺(tái)可容納任意形狀的樣品。450mm平臺(tái)也可根據(jù)要求提供。真正的X-Y掃描也可能通過定制配置；
2、硅基板上的單層SiO2薄膜的厚度值。對(duì)于其他薄膜/基質(zhì)，這些值可能略有不同；
3、15天平均值的標(biāo)準(zhǔn)差平均值。樣品：硅晶片上1微米的二氧化硅；
4、2 X (超過15天的日平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差)。樣品：硅晶片上1微米的二氧化硅；
5、測(cè)量結(jié)果與校準(zhǔn)的光譜橢偏儀比較；
6、根據(jù)材料；
7、測(cè)量以8 "晶圓為基準(zhǔn)。如有特殊要求，掃描速度可超過1000次測(cè)量/每分鐘；
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