我公司研制的滑軌式PECVD系統(tǒng)能使整個實(shí)驗(yàn)腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū)，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強(qiáng)度是傳統(tǒng)PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。

 與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低。

 使用滑軌爐實(shí)現(xiàn)快速升溫和降溫。

 設(shè)備*的技術(shù)使得整管輝光均勻等效，均勻生長。

主要特點(diǎn)：

1.薄膜沉積速率高：射頻輝光技術(shù)，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達(dá)10?/S；
2. 大面積均勻性高：采用了*的多點(diǎn)射頻饋入技術(shù)，特殊氣路分布和加熱技術(shù)等，使得薄膜均勻性指標(biāo)達(dá)到8%；
3. 一致性高：用半導(dǎo)體行業(yè)的*設(shè)計(jì)理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%；
4. 工藝穩(wěn)定性高：高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定；

技術(shù)參數(shù)：

1、單溫區(qū)加熱系統(tǒng)：

2、PE射頻電源：

該CVD系統(tǒng)可配備PE射頻電源，將CVD系統(tǒng)升級為PECVD。當(dāng)參與反應(yīng)的氣氛進(jìn)入爐管在射頻電源的作用下產(chǎn)生離子體，可使反應(yīng)更加充分。同時等離子體起增強(qiáng)的作用，從而很大程度上優(yōu)化實(shí)驗(yàn)的工藝條件。

3、五路質(zhì)子流量控制系統(tǒng)：

供氣系統(tǒng)是一種可控制4種氣體按不同流量進(jìn)行混合配比，也可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求加裝洗氣裝置，質(zhì)量流量計(jì)安裝于密封的可移動機(jī)柜內(nèi)，由超潔雙拋不銹鋼管與精密雙卡套接頭連接組成，觸摸屏控制。

4、真空機(jī)組：

真空機(jī)組，內(nèi)部安裝雙極旋片機(jī)械泵1臺，電容真空計(jì)1套，并含有配套使用的波紋管，手動擋板閥，卡箍等連接部件。設(shè)備冷態(tài)極限真空可達(dá)0.5Pa。

5、壓力控制系統(tǒng)：

壓力控制系統(tǒng)主要部件蝶閥、壓力控制器、電容真空計(jì)組成。

壓力控制系統(tǒng)的作用：根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求，在出氣端和泵之間增加蝶閥（調(diào)節(jié)閥）和真空計(jì)，真空計(jì)可檢測管內(nèi)壓力，通過 PLC 調(diào)節(jié)蝶閥（調(diào)節(jié)閥）開啟的大小，以達(dá)到控制管內(nèi)壓力不變。

壓力可范圍：100~100000Pa

控制精度：測量值±5%