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FPPIC-R-200-standard 科研型原子層沉積系統(tǒng),picosun公司ALD系統(tǒng)
- 公司名稱 孚光精儀(中國)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 FPPIC-R-200-standard
- 產(chǎn)地 www.felles.cn/ald.html
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2022/11/14 11:20:26
- 訪問次數(shù) 1066
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科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD系芬蘭picosun公司R-200 standard原子層沉積技術(shù),熱壁設(shè)計和單獨的入口,可實現(xiàn)無顆粒工藝,適用于晶圓,3D對象和所有納米級特征上的多種材料。
科研型原子層沉積系統(tǒng)具有專有的Picoflow™技術(shù),即使在挑戰(zhàn)性的通孔,超高長寬比和納米顆粒樣品上也可以實現(xiàn)出色的均勻性。 R-200 standard原子層沉積配備了功能強大且易于更換的液態(tài),氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)物質(zhì)前體源。與手套箱,粉末室和各種原位分析系統(tǒng)集成,無論您現(xiàn)在的研究領(lǐng)域是什么,或以后可能成為什么樣的研究領(lǐng)域,都可以進行高效,靈活的研究,并獲得良好的結(jié)果。
科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā),例如IC組件,MEMS器件,顯示器,LED,激光和3D對象,例如透鏡,光學(xué)器件,珠寶,硬幣和醫(yī)療植入物。熱ALD研究工具的市場領(lǐng)dao者。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動的公司和研究機構(gòu)的shou選工具。
科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD技術(shù)指標
襯底尺寸和類型 | 50 – 200 mm /單片 |
zui大可沉積直徑150 mm基片,豎直放置,10-25片/批次(根據(jù)工藝) | |
156 mm x 156 mm 太陽能硅片 | |
3D 復(fù)雜表面襯底(使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳) | |
粉末與顆粒(配備擴散增強器) | |
多孔,通孔,高深寬比(HAR)樣品 | |
工藝溫度 | 50 – 500 °C, 可選更高溫度(真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C) |
基片傳送選件 | 氣動升降(手動裝載) |
預(yù)真空室安裝磁力操作機械手(Load lock ) | |
前驅(qū)體 | 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源 |
4根du立源管線,zui多加載6個前驅(qū)體源 | |
對蒸汽壓低的前驅(qū)體(1mbar~10mbar),用氮氣等載氣dao入前驅(qū)體瓶內(nèi)引出 | |
重量 | 350kg |
尺寸( W x H x D)) | 取決于選件 |
zui小146 cm x 146 cm x 84 cm | |
zui大189 cm x 206 cm x 111 cm | |
選件 | PICOFLOW™擴散增強器,集成橢偏儀,QCM, RGA,N2發(fā)生器,尾氣處理器,定制設(shè)計,手套箱集 |
成(用于惰性氣體下裝載)。 | |
驗收標準 | 標準設(shè)備驗收標準為 Al2O3 工藝 |
應(yīng)用領(lǐng)域
客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設(shè)備在150mm和200mm(6”和8”)晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù)。
材料 | 非均勻性(1σ) |
AI2O3 (batch) | 0.13% |
SiO2 (batch) | 0.77% |
TiO2 | 0.28% |
HfO2 | 0.47% |
ZnO | 0.94% |
Ta2O5 | 1.00% |
TiN | 1.10% |
CeO2 | 1.52% |
Pt | 3.41% |
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