國(guó)產(chǎn)電子束光刻利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫(huà)或投影復(fù)印圖形的光刻技術(shù)。電子抗蝕劑是一種對(duì)電子敏感的高分子聚合物。經(jīng)過(guò)電子束掃描過(guò)的電子抗蝕劑發(fā)生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發(fā)生化學(xué)性質(zhì)改變，經(jīng)過(guò)顯影和定影，獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形。現(xiàn)代的電子束光刻設(shè)備已經(jīng)能夠制作小于10納米的精細(xì)線條結(jié)構(gòu)，也可制作光學(xué)掩模版。

國(guó)產(chǎn)電子束光刻主要功能：曝光速度快精度高，可采用大寫(xiě)場(chǎng)大束流進(jìn)行曝光，適用于科研及小批量生產(chǎn)中使用；自動(dòng)化程度高，除了放樣取樣外，整個(gè)曝光過(guò)程只需要編輯曝光的相關(guān)參數(shù)，其他過(guò)程均可自動(dòng)完成。

盡管電子束光刻具有高分辨率，但用戶(hù)通常不考慮在電子束光刻過(guò)程中產(chǎn)生缺陷。缺陷可以分為兩類(lèi)：與數(shù)據(jù)相關(guān)的缺陷和物理缺陷。

與數(shù)據(jù)有關(guān)的缺陷可以進(jìn)一步分為兩個(gè)子類(lèi)別。當(dāng)電子束原本應(yīng)該正確偏轉(zhuǎn)時(shí)，會(huì)發(fā)生消隱或偏轉(zhuǎn)錯(cuò)誤；而當(dāng)將錯(cuò)誤形狀投射到樣品上時(shí)，在可變形狀的電子束系統(tǒng)中會(huì)發(fā)生成形錯(cuò)誤。這些錯(cuò)誤可能源自電子光學(xué)控制硬件，也可能源自錄音帶。可以預(yù)期，較大的數(shù)據(jù)文件更容易受到與數(shù)據(jù)相關(guān)的缺陷的影響。

物理缺陷變化更大，可能包括樣品帶電（正電荷或負(fù)電荷），反向散射計(jì)算誤差、劑量誤差、霧化（反向散射電子的遠(yuǎn)距離反射）、除氣、污染、電子束漂移和粒子。由于電子束光刻的寫(xiě)入時(shí)間很容易超過(guò)一天，因此“隨機(jī)發(fā)生”的缺陷更有可能發(fā)生。同樣，較大的數(shù)據(jù)文件可能會(huì)帶來(lái)更多的缺陷機(jī)會(huì)。