化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>集成電路測(cè)試與分選設(shè)備>探針臺(tái)> Wafer級(jí)超快三維磁場(chǎng)探針臺(tái)(Hprobe)
Wafer級(jí)超快三維磁場(chǎng)探針臺(tái)(Hprobe)
- 公司名稱 昱臣半導(dǎo)體技術(shù)（香港）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2024/4/14 10:59:15
- 訪問(wèn)次數(shù) 122
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IBEX-300晶圓超快三維磁場(chǎng)探針臺(tái)
主要特點(diǎn)：
■ 可以用于100~300mm晶圓 | ■ 嵌入式傳感器校準(zhǔn) |
主要應(yīng)用方向：
■ 磁性隧道結(jié)
■ 磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
■ 集成磁傳感器(Hall, GMR, TMR)
■ 智能傳感器
技術(shù)原理：
探針臺(tái)采用特的三維磁場(chǎng)發(fā)生器，每個(gè)磁場(chǎng)空間軸立驅(qū)動(dòng)。利用這3個(gè)自由度，用戶可以在任意空間方向應(yīng)用和控制場(chǎng)，也可以生成旋轉(zhuǎn)場(chǎng)。三維磁場(chǎng)裝置配備了所有相關(guān)配件，測(cè)試程序和磁鐵校準(zhǔn)工具包。 三維磁發(fā)生器置于探針臺(tái)部，并在晶圓上產(chǎn)生局部磁場(chǎng)。為了適應(yīng)器件測(cè)試設(shè)計(jì)，探頭被放置在晶圓片和發(fā)生器之間的間隙中。磁場(chǎng)發(fā)生器和晶圓托之間的Z方向距離一般可在500μm至5mm之間可調(diào)，取決于所使用的探針卡和探針。 |
三維磁場(chǎng)裝置 |
相關(guān)參數(shù)：
面內(nèi) (XY) | 垂直 (Z) | |
大單軸磁場(chǎng) | 350 mT | 550 mT |
磁場(chǎng)均勻性@ +/1mm | ± 1% | ± 1% |
磁場(chǎng)分辨率 | 0.05 mT | 0.02 mT |
角度分辨率 | 0,02° | - |
場(chǎng)掃描采樣率 | < 50 kHz | < 50 kHz |
R-H 回線測(cè)試時(shí)間 | < 100 ms | < 100 ms |
快速掃場(chǎng)能力：
儀器配置：
Hprobe探針臺(tái)配備整套儀器驅(qū)動(dòng)和測(cè)量大多數(shù)磁性器件，如MRAM (STT、SOT、電壓控制)、傳感器(AMR、GMR、TMR)和磁性MEMS。儀器可以包括源表和測(cè)量單元（SMU）、數(shù)字萬(wàn)用表（DMM）、任意波形發(fā)生器（AWG）、脈沖發(fā)生器（PG）、交換矩陣、數(shù)據(jù)采集板等。其他儀器可根據(jù)要求提供，并且可以很容易地集成到工具的硬件和軟件中。
任意波形發(fā)生器（AWG） |
| 脈沖發(fā)生器（PG） |
源表和測(cè)量單元（SMU） | 數(shù)字萬(wàn)用表（DMM） |
探針卡：
Hprobe探針臺(tái)使用非常靈活，用戶可以使用標(biāo)準(zhǔn)的商用探針卡，也可以使用帶有DC和RF探頭的微操作器。
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