工業(yè)硅中鐵鋁鈣錳鈦鎳銅鉻釩鈉硼含量測定儀

工業(yè)硅化學分析方法 第4部分 雜質(zhì)元素含量的測定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法介紹

一、概述

GB/T 14849.4-2014是中華人民共和國國家標準，主要規(guī)定了工業(yè)硅中雜質(zhì)元素含量的測定方法，特別是采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法（ICP-AES）進行測定。這一方法結(jié)合了原子發(fā)射光譜法的多元素同時測定優(yōu)點和較寬的線性范圍，適用于固、液、氣態(tài)樣品的直接分析。

二、技術(shù)特點

1. 多元素同時測定：ICP-AES技術(shù)允許同時對主、次、痕量元素成分進行測定，提高了分析效率。

2. 寬線性范圍：該技術(shù)具有較寬的線性范圍，使得在測定不同濃度的元素時都能得到準確的結(jié)果。

3. 直接分析：ICP-AES技術(shù)適用于固、液、氣態(tài)樣品的直接分析，無需復(fù)雜的樣品前處理過程。

三、測定步驟

雖然具體的測定步驟在GB/T 14849.4-2014中詳細規(guī)定，但通常ICP-AES法的分析過程可以概括為以下幾個步驟：

1. 樣品準備：將工業(yè)硅樣品進行適當?shù)奶幚?，如研磨、溶解等，以便進行后續(xù)的測定。

2. 激發(fā)：利用電感耦合等離子體作為激發(fā)光源，使樣品中的元素原子化并激發(fā)到高能級。

3. 發(fā)射光譜：被激發(fā)的原子在回到基態(tài)時會發(fā)射特定波長的光，形成發(fā)射光譜。

4. 光譜分析：通過光譜儀器將發(fā)射光譜分解為按波長排列的光譜線，利用光電器件檢測光譜，并進行定性和定量分析。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

規(guī)定的ICP-AES法不僅適用于工業(yè)硅中雜質(zhì)元素含量的測定，也廣泛應(yīng)用于冶金、機械、地質(zhì)、環(huán)保、生化樣品分析以及食品安全監(jiān)控等多個領(lǐng)域。

五、總結(jié)

中的電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法是一種高效、準確、多功能的分析技術(shù)，對于工業(yè)硅中雜質(zhì)元素含量的測定具有重要意義。通過該技術(shù)，可以實現(xiàn)對工業(yè)硅中多種雜質(zhì)元素的快速、準確測定，為工業(yè)硅的質(zhì)量控制提供有力支持。

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