PICOSUN R-200 標(biāo)準(zhǔn)型ALD系統(tǒng)PICOSUN®R-200 標(biāo)準(zhǔn) ALD 系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC 組件、MEMS器件、顯示器、LED、激光和 3D 對象，例如透鏡、光學(xué)器件、珠寶、硬幣和醫(yī)療植入物。它是ALD研究工具的市場。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的公司和研究機(jī)構(gòu)的工具。

敏捷的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了質(zhì)量的ALD薄膜沉積以及系統(tǒng)的最終靈活性，可以滿足未來的需求和應(yīng)用。的熱壁設(shè)計(jì)、獨(dú)立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓、3D 對象和所有納米級特征上的多種材料。得益于專有的 Picoflow™技術(shù)，即使在挑戰(zhàn)性的多孔，超高長寬比和納米顆粒表面樣品上也可以實(shí)現(xiàn)出色的均勻性。

系統(tǒng)配備了功能強(qiáng)大且易于更換的液態(tài)、氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)物質(zhì)前體源，與手套箱、粉末室和各種原位分析系統(tǒng)集成。無論您現(xiàn)在的研究領(lǐng)域是什么，或以后可能成為什么樣的研究領(lǐng)域，都可以進(jìn)行高效、靈活的研究，并獲得良好的結(jié)果。

PICOSUN R-200 標(biāo)準(zhǔn)型ALD系統(tǒng)設(shè)備特點(diǎn)：

標(biāo)準(zhǔn)基板尺寸與類型

50 mm-200 mm 單晶片

156 mm x156 mm 太陽能硅晶片

多孔、通孔和高縱橫比(高達(dá) 1:2500)

工藝溫度：50℃-500℃

基板裝載：使用氣動(dòng)升降機(jī)手動(dòng)裝載

前驅(qū)體：液體、固體、氣體、臭氧，多達(dá) 6個(gè)源、帶 4個(gè)獨(dú)立入口。