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C2GR16-立式氣相沉積爐

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 上海皓越真空設備有限公司
  • 品牌 HAOYUE/皓越
  • 型號
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/11/22 11:51:19
  • 訪問次數(shù) 482

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上海皓越真空設備有限公司(簡稱皓越科技)是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售電爐為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司地處中國經(jīng)濟發(fā)達上海,已擁有大型現(xiàn)代化標準廠房,成套的加工設備,完善的質(zhì)量檢測體系;匯萃了一批長期從事熱處理爐、真空爐及特種爐制造和服務的技術(shù)精英,其中,研究生、本科以上學歷的工程技術(shù)人員26人,技術(shù)工人65余人的精英團隊,具備年產(chǎn)200套熱處理爐、60套大型真空爐的生產(chǎn)能力。并與上海復旦大學、上海同濟大學建立了長期友好的科技合作與人才培養(yǎng)基地。

公司一直專注于半導體材料、碳材料、先進陶瓷及復合材料和鋰電材料四大領域,積累了豐富的行業(yè)經(jīng)驗和技術(shù),竭誠服務于客戶,提供完善的一體式產(chǎn)業(yè)解決方案。

在半導體材料領域,皓越科技致力為客戶提供晶體生長設備和高溫退火設備,適用于藍寶石、碳化硅、氮化鎵和氮化鋁晶體的生長和退火。還推出氧化/擴散爐、LPCVD/PECVD等薄膜生長摻雜設備以及晶圓快速熱處理RTP設備。

在碳材料領域,皓越科技擁有提供石墨烯、碳納.米管的CVD及PECVD成套生長系統(tǒng),并提供金剛石工具生產(chǎn)用真空爐和熱壓爐,以及碳材料用高溫石墨化爐等。

在鋰電材料領域,我們?yōu)榭蛻籼峁┻B續(xù)正極材料生產(chǎn)窯爐,有輥道窯、推板窯等,以及用于負極材料生產(chǎn)用真空爐等。

在陶瓷基復合材料領域,擁有碳化硅陶瓷的無壓燒結(jié)、反應燒結(jié)和重結(jié)晶燒結(jié)設備,氮化硅粉體合成爐以及陶瓷制品燒結(jié)爐,碳化硼陶瓷熱壓燒結(jié)爐等。

上海皓越真空設備有限公司所提供的產(chǎn)品技術(shù)先進,質(zhì)量可靠,品種齊全。公司成立以來在市場上巳獲得用戶認可,其產(chǎn)品質(zhì)量及服務獲得用戶的肯定,我們的優(yōu)勢不僅體現(xiàn)在高精度的溫度控制領域,更多的是我們在工藝、真空,自動化控制及計算機溫度分析系統(tǒng)有杰出的人才。

皓越人的愿景:成為新材料、新能源熱處理領域。
皓越人的使命:推動新材料、新能源領域的快速發(fā)展;為新材料、新能源行業(yè)提供熱處理解決方案。
皓越人的價值觀
客戶為天:一切技術(shù)創(chuàng)新和服務理念均以客戶的需求為導向,我們堅持以客戶為主要,持續(xù)為客戶創(chuàng)造價值,積極、快速的響應客戶需求。為客戶提供服務,是我們的工作方向和價值*,成就客戶就是成就我們自己。
誠信為本:只有堅持誠信為本,才能言出必行,信守承諾。誠信是我們很重要的無形資產(chǎn),皓越人堅持以誠信贏得客戶。
創(chuàng)新為先:為了更好的滿足客戶需求,我們需要積極進取、勇于開拓與創(chuàng)新。任何先進的技術(shù)、產(chǎn)品、解決方案只有轉(zhuǎn)化為商業(yè)成功才能產(chǎn)生價值。我們堅持以客戶需求為導向,并圍繞客戶需求持續(xù)創(chuàng)新。
合作為贏:為了實現(xiàn)客戶需求,除了持續(xù)創(chuàng)新,我們還要與供應商、合作商密切合作,只有合作才能實現(xiàn)雙贏,合作是提升流程效率的有力保障。
發(fā)展為道:一切努力與奮斗,為了發(fā)展,我們成就了客戶,自身也在發(fā)展。發(fā)展是硬道理,只有持續(xù)發(fā)展,我們與客戶才能攜手進步,員工與企業(yè)才能實現(xiàn)夢想。
皓越人的行為準則:

三大作風:認真,快,堅守承諾;

一個目標:客戶滿意100;

一個保證:保證完成任務。

皓越選人用人理念

用對人,做對事!得人才者得天下!一切競爭,歸根結(jié)底是人才競爭。選人用人,關(guān)乎皓越的成??;把合適的人放在合適的崗位上。

 

箱式電阻爐,真空管式爐,箱式氣氛爐,真空電阻爐,真空碳管爐,真空熱壓爐等

一、設備基本原理與特點

1.基本原理:
熱誘導化學氣相沉積(英語:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質(zhì),半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式,無論是單晶,多晶,無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳,碳化硅,氮化硼。通過使用合成前體,涂層非常純凈并目滿足半導體工業(yè)的典型要求,根據(jù)工藝參數(shù),可以有多種層厚度,從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層,以及厚度達100微米的單片部件,甚至高達數(shù)毫米。

2.設備特點:
(1)采用臥式、側(cè)開門結(jié)構(gòu),裝、卸料精度高,操作方便;
(2)采用先進的控制技術(shù),能精密控制MTS的流量和壓力,爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定,壓力波動范圍??;
(3)溫度均勻性好,平均溫度均勻性為±5℃;
(4)采用多通道沉積氣路,流場均勻,無沉積死角,沉積效果好;
(5)全封閉沉積室,密封效果好,抗污染能力強;
(6)安全性能好,采用HMI+PLC+PID程序控制,安全可靠;
(7)對沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物能進行有效處理;
(8)多級高效尾氣處理系統(tǒng),環(huán)境友好,能高效收集焦油及副產(chǎn)物,易清理;
(9)采用設計防腐蝕真空機組,持續(xù)工作時間長,維修率極低。

二、C2GR16-立式氣相沉積爐(主要技術(shù)參數(shù):

1編號C2GR16
2產(chǎn)品型號VHCgr-20/20/30-1600
3最高設計溫度(℃)1600
4加熱元件等靜壓石墨
5加熱功率(kW)45
6冷態(tài)極限真空度(Pa)6.7x10-3Pa(空爐、冷態(tài)、經(jīng)凈化)
7測溫元件鎢錸熱電偶
8升溫速率1~20℃/min
9溫度均勻性±5℃(5點測溫,恒溫區(qū)1000℃保溫1h后檢測)
10爐膛尺寸(mm)200x200x300(WxHxD)
11可通入氣氛1路CH3SiCI3、1路氨氣、1路氫氣、1路氮氣
12氣氛流量計4路質(zhì)量流量計
13設備外形尺寸(mm)1425x1550x1850mm(LxWxH)


三、C2GR16-立式氣相沉積爐(CVD氣相沉積爐)產(chǎn)品展示圖:

C2GR16-立式氣相沉積爐

C2GR16-立式氣相沉積爐









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