C-43型多點光源曝光頭高精度國產(chǎn)光刻機

C-43型國產(chǎn)高精度光刻機主要用途是在中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件和聲表面波器件的研制和生產(chǎn)中使用。C-43的出色之處在于其先進(jìn)的找平機構(gòu)，這使得它適用于對不同類型的材料進(jìn)行曝光，包括硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片和寶石片等。

C-43型國產(chǎn)高精度光刻機的工作方式是一次性光刻曝光，即一次完成曝光過程。以下是其主要技術(shù)指標(biāo)：

配置壹件承片臺，其尺寸可以根據(jù)用戶需求進(jìn)行制造。

曝光頭采用多點光源，具備以下特性：

出射光斑直徑不超過110mm。

在直徑為100mm的范圍內(nèi)，光的不均勻性小于±4%。

能夠在真空密封條件下進(jìn)行曝光。

曝光時間可以通過0.1～999.9秒的時間繼電器進(jìn)行設(shè)定。

汞燈的位置可以通過精密的x、y、z調(diào)節(jié)裝置進(jìn)行調(diào)整，分別可以調(diào)節(jié)±5毫米。

具備風(fēng)扇冷卻裝置。

分辨率不低于1μm。

具備真空吸片功能。

具備真空密封和反吹氣的功能，通過調(diào)節(jié)密封真空的大小可以實現(xiàn)硬接觸曝光（密封真空≤-0.05 Mpa）、軟接觸曝光（密封真空在-0.05Mpa～-0.02Mpa之間）和微力接觸曝光（密封真空≥-0.02Mpa）。

C-43型多點光源曝光頭高精度國產(chǎn)光刻機主要配置：

一臺多點光源曝光頭，支持一次性曝光。

曝光面積不小于φ100mm。

曝光不均勻性小于±4%。

曝光強度不低于15mw。

曝光分辨率不高于2μm。

曝光模式為單面曝光。

控制膜版尺寸為5英寸。

基片尺寸為100mm×100mm，厚度不超過5mm。

曝光燈功率為350W。

曝光定時范圍為0～999.9秒，可調(diào)。

電源要求為單相AC 220V 50Hz，功耗不超過1kW。

需要潔凈壓縮空氣壓力不低于0.4Mpa。

可以實現(xiàn)真空度在-0.07Mpa～-0.09Mpa之間。

尺寸為700×650×1200毫米（長×寬×高），重量約為110kg。

備件包括一臺真空泵、一只汞燈和15米φ8氣管。