一、產(chǎn)品介紹

CIF推出等離子去膠機(jī)，采用電感耦合各向同性（各個方向）等離子激發(fā)方式，適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形都可以進(jìn)行等離子體去膠。其外觀美學(xué)設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)緊湊，漂亮大氣，優(yōu)化的腔體結(jié)構(gòu)及合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得處理樣品量更大，適用范圍更廣，性能更穩(wěn)定，操作更簡便，性價比更高，使用成本更低，實(shí)用性更強(qiáng)，更容易維護(hù)。特別適合于大學(xué)，科研院所和微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室，對電路板、外延片、芯片、環(huán)氧基樹脂、MEMS制造過程中犧牲層，干刻或濕刻處理前或后，對基材進(jìn)行聚合物剝離、金屬剝離、掩膜材料等光刻膠去除，以及晶圓表面預(yù)處理等。

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

u PLC工控機(jī)控制整個去膠過程，手動、自動兩種工作模式。

u 7寸彩色觸摸屏互動操作界面，圖形化用戶操作界面顯示，自動監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài)，20個配方程序，可存儲、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù)，機(jī)器運(yùn)行、停止提示。

u 石英真空倉，全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無污染。

u 可選用石英舟，更適合晶元硅片去膠應(yīng)用。

u 有效處理面積大，可處理直徑200mm晶元硅片。

u 采用花灑式多孔進(jìn)氣方式，改變傳統(tǒng)等離子清洗機(jī)單孔進(jìn)氣不均勻問題。

u 采用防腐數(shù)字流量計(jì)，實(shí)現(xiàn)對氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，氣體分配均勻?？奢斎?/span>氧氣、氬氣、氮?dú)狻⑺姆?、氫氣或混合?/span>等氣體。

u HEPA高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。

u 處理高效均勻，效率高，工藝重復(fù)性好。

u 樣品處理溫度低，無熱損傷和熱氧化。

u 安全保護(hù)，倉門打開，自動關(guān)閉電源。

三、技術(shù)參數(shù)