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渦流法方阻測(cè)試儀

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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公司成立于2021年，是一家注冊(cè)在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測(cè)分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷(xiāo)售于一體，主要攻克國(guó)外壟斷技術(shù)，替代進(jìn)口產(chǎn)品，使半導(dǎo)體材料測(cè)試設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品：非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀、方阻測(cè)試儀、硅片電阻率測(cè)試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀、遷移率（霍爾）測(cè)試儀、少子壽命測(cè)試儀，晶圓、硅片厚度測(cè)試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案。

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，申請(qǐng)各項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)20余項(xiàng)，已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場(chǎng)口碑。





晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀

價(jià)格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 電子,電氣,綜合
自動(dòng)化度 手動(dòng)

‌‌方阻是指一個(gè)正方形‌薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻‌，也稱(chēng)為方塊電阻或‌膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料（如‌蒸發(fā)鋁膜、‌導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個(gè)參數(shù)，其大小與材料的電阻率和厚度有關(guān)。‌

特性

方阻的特性是，無(wú)論正方形的邊長(zhǎng)如何，其邊到邊的電阻值都是相同的。這意味著，不管正方形的邊長(zhǎng)是1米還是1毫米，其方阻值都是一樣的。方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度和電阻率有關(guān)，與樣品的尺寸無(wú)關(guān)。

渦流法方阻測(cè)試儀描述

設(shè)備主要利用渦電流測(cè)試原理，非接觸測(cè)試半導(dǎo)體材料，石墨烯，透明導(dǎo)電膜，碳納米管，金屬等材料的方阻（電阻率）。

可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測(cè)及質(zhì)量控制。

特點(diǎn)

本儀器為非接觸，非損傷測(cè)試，具有測(cè)試速度快，重復(fù)性佳，測(cè)試敏感性高，可以直接測(cè)試產(chǎn)品片。

技術(shù)參數(shù)

參數(shù) 探頭

方阻范圍

電阻率范圍

測(cè)試方法

量程

低阻探頭

0.005-1 Ω/sq

0.25-50 mΩ·cm

渦流法，

非接觸式

中阻探頭

0.05-10 Ω/sq

2.5-500 mΩ·cm

高阻探頭

10-3000 Ω/sq

0.5-150 Ω·cm

錠探頭

0.01-2 Ω·cm

重復(fù)性

＜ 0.2% ( ≤ 50%量程范圍）

 ＜ 0.5% ( > 50%量程范圍）

準(zhǔn)確度

＜   ±3%   ( ≤ 50%量程范圍）

 ＜   ±3% ( > 50%量程范圍）

探頭信息

探頭類(lèi)型：雙探頭（上下探頭，間距2 - 3mm）

探頭直徑：外徑20mm，內(nèi)徑14mm（有效測(cè)試部分）

坐標(biāo)設(shè)置

 任意坐標(biāo)設(shè)置

存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

數(shù)據(jù)庫(kù)內(nèi)部存儲(chǔ)（可導(dǎo)出表格文件）

PDF測(cè)試報(bào)告，含測(cè)試信息（時(shí)間、操作員）、wafer信息（編號(hào)、尺寸、厚度），數(shù)據(jù)信息（測(cè)試點(diǎn)數(shù)，**值，最小值，平均值，相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差等），等高線圖，曲面圖等。

CSV表格數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)至遠(yuǎn)端服務(wù)器，可根據(jù)客戶需求修改相關(guān)報(bào)告信息

WAFER信息

尺寸：2”- 8”（英寸）

厚度：100 - 1500 μm

系統(tǒng)要求

供電：AC220V,50/60Hz      功率：600W                        環(huán)境：溫度24℃±10℃

相對(duì)濕度：20%-80%RH      尺寸：975*465*425(mm)    壽命：> 10年

渦流法原理

當(dāng)載有交變電流的檢測(cè)線圈靠近被測(cè)導(dǎo)體，由于線圈上交變磁場(chǎng)的作用，被測(cè)導(dǎo)體感應(yīng)出渦流并產(chǎn)生與原磁場(chǎng)方向相反的磁場(chǎng)，

部分抵消原磁場(chǎng)，導(dǎo)致檢測(cè)線圈電阻和電感變化。

 

 

                                         
電阻率 = 方阻 × Wafer厚度

方阻 和 V 具有關(guān)系

電阻率是用來(lái)表示物質(zhì)電阻特性的物理量，是材料本身的電學(xué)性質(zhì)。


適用材料

材料

電阻率

方阻

Silicon wafer

Y

Y

SiC wafer / Ingot

Y

Y

GaO wafer / Ingot

Y

Y

GaN wafer 2DEGI

Y

Y

GaAs 2EDG

Y

IGZO/LTPS/ITO

Y

TCO(Touch panel)

Y

Graphene

Y

Metal film

Y


穩(wěn)定性

 

 

相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差=0.0150%@中點(diǎn)15次重復(fù)性


方阻Mapping55點(diǎn)測(cè)試報(bào)告

報(bào)告時(shí)間

2023/10/26 13:51

測(cè)試樣本數(shù)

55

分析時(shí)間

2023/10/26 13:47

**電阻率

0.0232

操作員ID

admin

最小電阻率

0.02277

批次ID

0

平均電阻率

0.02293

樣片ID

A-1-55

標(biāo)準(zhǔn)偏差

0.000111

尺寸規(guī)格

100mm

相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差

0.4861%



 

 

 


動(dòng)態(tài)重復(fù)性逐點(diǎn)（38點(diǎn)坐標(biāo)）一致性數(shù)據(jù)如下(樣品面的測(cè)量5次)

一

 二

三

四

五

重復(fù)性

Max

1

0.12459

0.12466

0.12467

0.12471

0.12472

0.0413%

0.0703%

2

0.12347

0.12351

0.12356

0.12358

0.12362

0.0477%

3

0.12315

0.12321

0.12323

0.12326

0.12329

0.0431%

4

0.12389

0.12398

0.124

0.12402

0.12405

0.0489%

5

0.12421

0.12424

0.12428

0.12438

0.12441

0.0703%

6

0.12396

0.12403

0.12406

0.12408

0.12412

0.0484%

7

0.12387

0.12389

0.12398

0.124

0.12403

0.0566%

8

0.12482

0.12486

0.1249

0.12493

0.12496

0.0444%

9

0.12431

0.12434

0.1244

0.12447

0.12451

0.0679%

10

0.12429

0.12435

0.12438

0.12442

0.12445

0.0500%

11

0.12372

0.12378

0.1238

0.12383

0.12386

0.0429%

12

0.12381

0.12389

0.12392

0.12393

0.12396

0.0462%

13

0.1237

0.12374

0.1238

0.12381

0.12385

0.0481%

14

0.12386

0.12394

0.12396

0.12399

0.12403

0.0512%

15

0.12394

0.124

0.12404

0.12407

0.12409

0.0482%

16

0.12496

0.125

0.12504

0.12507

0.12509

0.0421%

17

0.1245

0.12454

0.12452

0.12464

0.12465

0.0562%

18

0.12414

0.12418

0.12422

0.12425

0.12427

0.0424%

19

0.12392

0.12396

0.124

0.12404

0.12406

0.0462%

20

0.12487

0.12491

0.12496

0.12501

0.12501

0.0495%

21

0.12355

0.1236

0.12363

0.12367

0.12372

0.0526%

22

0.12402

0.12409

0.12412

0.12415

0.12417

0.0473%

23

0.12442

0.12444

0.12453

0.12456

0.12458

0.0578%

24

0.12419

0.12423

0.12428

0.12431

0.12434

0.0486%

25

0.12388

0.12395

0.12396

0.12398

0.12403

0.0438%

26

0.12501

0.12505

0.12509

0.12512

0.12516

0.0468%

27

0.1244

0.12444

0.12453

0.12453

0.12458

0.0592%

28

0.12441

0.12445

0.12452

0.12453

0.12457

0.0519%

29

0.12385

0.12389

0.12393

0.12396

0.124

0.0473%

30

0.12379

0.12383

0.12385

0.12387

0.12392

0.0389%

31

0.12367

0.1237

0.12372

0.12374

0.12381

0.0425%

32

0.12393

0.12397

0.12402

0.12403

0.12409

0.0492%

33

0.12394

0.12396

0.124

0.12405

0.12409

0.0502%

34

0.12506

0.12509

0.12514

0.12519

0.12521

0.0510%

35

0.12449

0.12452

0.12459

0.12465

0.12466

0.0610%

36

0.12423

0.12423

0.12431

0.12434

0.12436

0.0491%

37

0.12382

0.12386

0.12386

0.12392

0.12395

0.0421%

38

0.12494

0.12497

0.12502

0.12508

0.12508

0.0507%


不同阻值穩(wěn)定性測(cè)試如下（1000個(gè)數(shù)據(jù)分統(tǒng)計(jì)）

真實(shí)值

靜態(tài)

動(dòng)態(tài)

穩(wěn)定性

0.1013

0.05%

0.05%

0.1596

0.04%

0.04%

0.2884

0.05%

0.06%

0.5657

0.07%

0.05%

0.9746

0.07%

0.08%

1.5941

0.11%

0.09%

3.1808

0.16%

0.27%

16.662

0.48%

0.96%

56.4

0.03%

0.05%

180.6

0.10%

0.10%

264.4

0.10%

0.16%

573.7

0.28%

0.36%

750.9

0.34%

0.43%

非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀，方阻測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，晶圓、硅片厚度測(cè)試儀，表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、金屬薄膜、玻璃、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案。
憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線，已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場(chǎng)口碑。

主要應(yīng)用領(lǐng)域：碳化硅測(cè)試、氮化鎵測(cè)試、晶圓硅片測(cè)試、氧化鎵測(cè)試、金屬薄膜測(cè)試、玻璃測(cè)試、襯底和外延廠商、光伏電池片測(cè)試。

 



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