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襯底電阻率方阻測(cè)試儀

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襯底電阻率方阻渦流法四探針

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公司成立于2021年,是一家注冊(cè)在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測(cè)分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售于一體,主要攻克國(guó)外壟斷技術(shù),替代進(jìn)口產(chǎn)品,使半導(dǎo)體材料測(cè)試設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品:非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀、方阻測(cè)試儀、硅片電阻率測(cè)試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀、遷移率(霍爾)測(cè)試儀、少子壽命測(cè)試儀,晶圓、硅片厚度測(cè)試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案。

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),申請(qǐng)各項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)20余項(xiàng),已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,并取得良好的市場(chǎng)口碑。





晶圓電阻率測(cè)試儀,硅片電阻率測(cè)試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測(cè)試儀,少子壽命測(cè)試儀

價(jià)格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 電子,電氣,綜合
自動(dòng)化度 半自動(dòng)

襯底的定義

1. 襯底的物理與化學(xué)性質(zhì)

襯底,或稱基片(substrate),是指在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中用來(lái)支持其他材料或結(jié)構(gòu)的底層材料。襯底的物理性質(zhì)包括其晶體結(jié)構(gòu)、機(jī)械強(qiáng)度、熱導(dǎo)率、膨脹系數(shù)等,而化學(xué)性質(zhì)則涵蓋其純度、表面化學(xué)穩(wěn)定性、化學(xué)反應(yīng)活性等。常見(jiàn)的襯底材料如硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)等,因其物理與化學(xué)性質(zhì)而被廣泛應(yīng)用。

2. 襯底的作用與功能

在半導(dǎo)體制造中,襯底起到至關(guān)重要的支撐作用。首先,襯底為后續(xù)的材料沉積和器件制作提供了一個(gè)平整且穩(wěn)定的基礎(chǔ),其次,襯底材料的選擇直接影響器件的性能和制造成本。此外,襯底還需具備良好的機(jī)械強(qiáng)度和熱導(dǎo)率,以支持器件在高功率和高溫條件下穩(wěn)定運(yùn)行。




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