PRIDE-100型電感耦合等離子體光譜儀
| 參考價(jià) | ￥ 250000 |
| 訂貨量 | ≥1臺(tái) |
- 公司名稱 廣東森德儀器有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2025/3/18 10:24:06
- 訪問(wèn)次數(shù) 142
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電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀ICP-OES/ICP-AES，超聲波探傷儀，傅里葉變換紅外光譜儀FITR，熱重分析儀，實(shí)時(shí)活細(xì)胞成像系統(tǒng)，手持光譜儀，直讀光譜儀，紫外分光光度計(jì)，核酸提取儀
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
PRIDE-100型電感耦合等離子體光譜儀工作原理
PRIDE-100型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀又稱為ICP光譜儀（ Inductive Coupled Plasma ）即以電感耦合高頻等離子體為激發(fā)光源，利用每種元素的原子或離子發(fā)射特征光譜來(lái)判斷物質(zhì)的組成，而進(jìn)行元素的定性與定量分析儀器。也被稱為ICP原子發(fā)射光譜儀。原子發(fā)射光譜分析過(guò)程主要分三步，即激發(fā)、分光和檢測(cè)。
第一步：激發(fā)光源使試樣蒸發(fā)汽化，離解或分解為原子狀態(tài)，原子也可能進(jìn)一步電離成離子狀態(tài)。原子及離子在光源中激發(fā)發(fā)光；
第二步：利用分光器把光源發(fā)射的光色散為按波長(zhǎng)排列的光譜；
第三步：利用光電器件檢測(cè)光譜，按所測(cè)得的光譜波長(zhǎng)對(duì)試樣進(jìn)行定性分析，或按發(fā)射光強(qiáng)度進(jìn)行定量分析。
PRIDE-100型電感耦合等離子體光譜儀技術(shù)性能指標(biāo)說(shuō)明
1. 射頻發(fā)生器（RF）：
電路類型 | 他激式固態(tài)射頻發(fā)生器，由兩只金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET管組成的推挽放大電路，全自動(dòng)點(diǎn)火，全自動(dòng)匹配調(diào)諧，計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)監(jiān)控，全自動(dòng)化自動(dòng)控制。 | 工作頻率 | 27.12MHz±0.05% |
頻率穩(wěn)定性 | <0.01% | ||
輸出功率 | 800－1500w | ||
輸出功率穩(wěn)定性 | ≤0.1% | ||
電磁場(chǎng)泄漏射強(qiáng)度 | 距機(jī)身30cm | ||
電場(chǎng)強(qiáng)度E | <1V/m | ||
磁場(chǎng)強(qiáng)度H | <0.2A |
2、進(jìn)樣系統(tǒng):
輸出工作線圈內(nèi)徑 | 25mm，3匝 | 炬管 | 三重同心石英炬管 |
同軸型噴霧器外徑 | 6mm | 雙筒形霧室外徑 | 35mm |
氬氣流量計(jì)規(guī)格和載氣壓力表規(guī)格 | 等離子氣流量計(jì)（100-1000）L/h ；(1.6-16L/min) | ||
輔助氣流量計(jì)（10-100）L/h ；(0.16-1.66L/min) | |||
載氣流量計(jì)（10-100）L/h ；(0.16-1.66L/min) | |||
載氣穩(wěn)壓閥（0-0.6M Pa） | |||
3、測(cè)光系統(tǒng):
光電倍增管規(guī)格 | R212UH | 信號(hào)采集為V/F交換 | 1mV對(duì)應(yīng)100Hz |
光電倍增管負(fù)高壓 | 200-1000V 穩(wěn)定性<0.05% | 光電倍增管電流測(cè)量范圍 | 10-12 -10-4A |
4、分光系統(tǒng):
光路 | Czerny- Turner | 焦距 | 1000mm |
光柵規(guī)格 | 離子刻蝕全息光柵 | 刻線密度 | 2400線/mm 3600線/mm 4320線/mm |
分辨率 | ≤0.008nm | 刻線面積 | 80×110mm |
波長(zhǎng)示值誤差 | ≤±0.03nm | 波長(zhǎng)范圍 | 190-800 nm |
透鏡 | ф30，1：1成像 | 入射狹縫 | 20µm |
發(fā)射鏡規(guī)格 | （78× 105 × 16）mm | 出射狹縫 | 20µm |
步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)最小步距 | 0.0005nm | ||
PRIDE-100光譜儀的特點(diǎn)
它采用全固態(tài)射頻發(fā)生器，電壓50V工作，改變了以往電子管高達(dá)幾千V使用的安全隱患；
固態(tài)發(fā)生器進(jìn)口MOSFET管平均工作時(shí)長(zhǎng)是30萬(wàn)個(gè)小時(shí)，與以往的電子管相比提高了上百倍；
控制電路全程計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)監(jiān)控，測(cè)量的穩(wěn)定性和誤差縮大幅調(diào)高。
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