FerrmanFET2mkii錄音棚話放

FET2采用了場(chǎng)效應(yīng)管高壓甲類放大構(gòu)架，具體表現(xiàn)在聲音的密度、顆粒感、包裹感特質(zhì)與電子管極其相似。其又綜合了晶體管的特性，使得頻響帶寬很高，高頻具備很好的延展性，在細(xì)節(jié)表達(dá)和泛音上更加豐富；在普通低電壓話放中，放大器輸出動(dòng)態(tài)都受制于其電壓供應(yīng)狀態(tài)。所以我們采用了高電壓電路構(gòu)架，能夠?qū)⒃O(shè)備的整體輸出動(dòng)態(tài)提升至130dB.設(shè)備的大輸出為：+32dBU的同時(shí)，THD的大失真度僅為0.1%。

FET2增益為62dB。為了前級(jí)拾音的準(zhǔn)確性，整機(jī)采用全步進(jìn)式增益控制架構(gòu)。放大部分為24檔步進(jìn)式控制，控制增益為2dB。立體聲錄制時(shí)，同步增益控制精度高達(dá)±0.01dB。為了達(dá)到微調(diào)控制，微調(diào)控制部分采用了9檔步進(jìn)式，每一檔都為增益提供了0.5dB的精細(xì)修正。 整機(jī)內(nèi)置全平衡電路，采用老工藝、老原料精心調(diào)試。正反相電路的增益、輸入阻抗、相位特性不可能做到一致，設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)钠胶怆娐飞踔習(xí)a(chǎn)生一些新的噪音或失真，因此我們?cè)谠O(shè)計(jì)和生產(chǎn)上依賴于優(yōu)良的設(shè)計(jì)與元器件篩選精度，以及后期的精細(xì)調(diào)試，將產(chǎn)品的各種誤差控制在一個(gè)很低的范圍之內(nèi).

FerrmanFET2mkii錄音棚話放

FET2采用了場(chǎng)效應(yīng)管高壓甲類放大構(gòu)架，具體表現(xiàn)在聲音的密度、顆粒感、包裹感特質(zhì)與電子管極其相似。其又綜合了晶體管的特性，使得頻響帶寬很高，高頻具備很好的延展性，在細(xì)節(jié)表達(dá)和泛音上更加豐富；在普通低電壓話放中，放大器輸出動(dòng)態(tài)都受制于其電壓供應(yīng)狀態(tài)。所以我們采用了高電壓電路構(gòu)架，能夠?qū)⒃O(shè)備的整體輸出動(dòng)態(tài)提升至130dB.設(shè)備的大輸出為：+32dBU的同時(shí)，THD的大失真度僅為0.1%。

FET2增益為62dB。為了前級(jí)拾音的準(zhǔn)確性，整機(jī)采用全步進(jìn)式增益控制架構(gòu)。放大部分為24檔步進(jìn)式控制，控制增益為2dB。立體聲錄制時(shí)，同步增益控制精度高達(dá)±0.01dB。為了達(dá)到微調(diào)控制，微調(diào)控制部分采用了9檔步進(jìn)式，每一檔都為增益提供了0.5dB的精細(xì)修正。 整機(jī)內(nèi)置全平衡電路，采用老工藝、老原料精心調(diào)試。正反相電路的增益、輸入阻抗、相位特性不可能做到一致，設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)钠胶怆娐飞踔習(xí)a(chǎn)生一些新的噪音或失真，因此我們?cè)谠O(shè)計(jì)和生產(chǎn)上依賴于優(yōu)良的設(shè)計(jì)與元器件篩選精度，以及后期的精細(xì)調(diào)試，將產(chǎn)品的各種誤差控制在一個(gè)很低的范圍之內(nèi).

□ FET雙通道話筒放大器

□ 輸入輸出信號(hào)路徑采用全平衡電路架構(gòu)設(shè)計(jì)

□ 輔助修正±2dB輸出增益控制，控制步長(zhǎng)0.5dB

□ 立體聲增益修剪控制(TRIM)

□ +32 dBu的輸出動(dòng)態(tài)

□ 270度廣角全分布“文藝復(fù)興”復(fù)古模擬音量表頭

□ 配對(duì)的FET分立元件模塊

□ 24級(jí)輸入放大增益控制，控制步長(zhǎng)2dB

□ 增益快速衰減開關(guān)(PAD)

□ 雙通道相位（PHASE）開關(guān)

□ 內(nèi)置全屏蔽分立模擬線性電源

小增益

14db

增益范圍

62dB

頻率響應(yīng)

± 0.2 dB @ 20~30KHz

步進(jìn)增益范圍

14 ~ 60 dB

等效輸入噪聲

128dB (未加權(quán))

大輸入電平

+18 dBU (平衡；小增益)

大輸出電平

+32 dBU@<THD 1%

幻相電源

+48 V dc, +/- 4 V dc

電源功耗

80W，AC 190V-240V

Ferrman c 雙通道話筒放大器，錄音棚話放 北京