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SC2010 MOS場效應(yīng)管參數(shù)測試儀
- 公司名稱 西安中昊芯測科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 SC2010
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2025/3/10 23:01:40
- 訪問次數(shù) 16
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專注半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng),功率器件動靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),美國STI5000系列測試機維修、計量校準、夾具定制等相關(guān)技術(shù)服務(wù),非標測試方案搭建!
MOS管參數(shù)測試儀SC2015
一、產(chǎn)品簡介/特點:
MOS管參數(shù)測試儀SC2015主要用于中小電子產(chǎn)品企業(yè)對場效應(yīng)管或IGBT的批量測量,篩選,非常適合來料檢驗使用。
1、采用高精度AD,滿足測量精度,而高速微處理器和電子開關(guān),使測量工作迅速、高效、寧靜。采用脈沖測量法,可以提供10A~75A以上的測試電流,而不會使被測管子發(fā)熱。有自動均流功能,確保被測管安全。
2、有自檢功能、測量判斷功能以及故障報警指示功能,當不是Vmos管時或錯插等,測量不能繼續(xù)。在測量前后,測量插座柵源之間是短路狀態(tài),以確保被測量管插入或拔出管座時的安全。
3、有20A~150A容量選擇,即便是選錯電流檔電流測量小容量管子,也不會損害被測管。
4、您可以按需要設(shè)定分選參數(shù)范圍??稍O(shè)定的有:開啟電壓Ut、跨導(dǎo)Gfs、通態(tài)電阻Ron以及極間電容Cir的下限和上限。對于超限的測量,蜂鳴器會報警,并且哪個參數(shù)超限,會閃爍提示,用戶可以不大理會符合標準的參數(shù)具體數(shù)據(jù),只在報警時注意閃爍的參數(shù),這樣極大的方便了工業(yè)批量測量。
5、使用簡單,不需要專業(yè)知識。
6、規(guī)格尺寸240*350*130mm(寬*深*高),桌面小臺式結(jié)構(gòu),采用鋁合金冷拉型板為框架,支腳可調(diào)。
7、工作臺有TO220和3P插座,面板設(shè)有容量選擇,以及220/3P選擇,方便用戶使用。
二、性能指標:
1、測量VMOS管可同時顯示:
通態(tài)電阻Ron:1~999mΩ (超過999 mΩ時,自動轉(zhuǎn)為9.99Ω擋)
跨導(dǎo)Gfs:0~99.9S
耐壓Bv:0~1999V
開啟電壓Ut:0~12V
極間電容Cir:0.1~9.9 (np)
通態(tài)電流Id:0-129.9V
2、如果您需要,通過輔助功能鍵,還可以得到:
a、Cir 1% nP精度;
b、Ut 1%V 精度;
c、測量Ron時的: Ids(max A),Vds(min V);
d、以及測量Ggs時:Ids(A),Vds(V),Vgs(V);
3、10位LED顯示。
4、設(shè)備供電160V~230V 正常工作。
三、測試參數(shù):
(1)二極管Diode
靜態(tài)參數(shù):BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降;
(2)三極管Transistor
靜態(tài)參數(shù):BVCES/集射極擊穿電壓,VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VCESAT/飽和壓降
(2)場效應(yīng)管MOSFET
靜態(tài)參數(shù):BVDSS/漏源極擊穿電壓,Ut/開啟電壓,Ids/漏源極漏電流,Vf/二極管正向壓降;Ron/導(dǎo)通內(nèi)阻,Gfs/跨導(dǎo),Cir/極間電容
(3)晶體管IGBT
靜態(tài)參數(shù):BVCES/集射極擊穿電壓,VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降;VCESAT/飽和壓降
應(yīng)用領(lǐng)域:
電子廠的功率器件來料檢驗、器件廠的產(chǎn)品分選、電子產(chǎn)品研發(fā)的選型配對、電子產(chǎn)品維修檢驗等。