太陽(yáng)能級(jí)硅少子壽命測(cè)試儀
功能特點(diǎn)：本設(shè)備是按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過(guò)數(shù)次全國(guó)十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn)，證明是一種成熟可靠的測(cè)試方法，特別適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測(cè)量；也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量，給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面，因此制樣特別簡(jiǎn)便。

產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無(wú)需拋光，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量。
■ 可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面無(wú)需拋光、鈍化。
■ 液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形。

技術(shù)參數(shù)
配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源
■ 1.07μm波長(zhǎng)紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。
■ 0.904～0.905μm波長(zhǎng)紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能級(jí)硅晶體。
測(cè)量范圍
■ 研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω·㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。
■ 拋光面：電阻率在0.1～0.01Ω·㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測(cè)范圍
■ 分體式： 2μS—10ms
■ 一體式： 0.5μS—20ms
評(píng)論