珀金埃爾默企業(yè)管理（上海）有限公司
利用單顆粒ICP-MS 在反應模式下測定半導體有機溶劑中的含鐵納米顆粒
檢測樣品：半導體有機溶劑
檢測項目：含鐵納米顆粒
方案概述：半導體產品中的金屬污染使產品品質降低。半導體寬度越小，對金屬污染物的容忍度越低。常見的金屬污染是過渡金屬元素和堿金屬元素。過渡金屬元素往往遍布半導體材料中并在表面形成多多種氧化物，其中鐵是較常見的污染物。
半導體產品中的金屬污染使產品品質降低。半導體寬度越小，對金屬污染物的容忍度越低。常見的金屬污染是過渡金屬元素和堿金屬元素。過渡金屬元素往往遍布半導體材料中并在表面形成多多種氧化物，其中鐵是較常見的污染物。
單顆粒 ICP-MS 已成為納米顆粒分析的一種常規(guī)手段，采用不同的進樣系統(tǒng)，能在100-1000 顆粒數每毫升的極低濃度下對納米顆粒進行檢測、計數和表征。除了顆粒信息，單顆粒 ICP-MS 還可以在未經前級分離的情況下檢測溶解態(tài)元素濃度。許多文獻表明單顆粒 ICP-MS 可以在各種基質條件下對納米顆粒進行測量和表征，包括化學機械拋光漿料。
鐵離子（56Fe+）受到等離子體引起的 40Ar16O+的嚴重干擾。利用氨氣作反應氣的動態(tài)反應池技術是消除 40Ar16O+ 對鐵離子最高豐度同位素干擾 56Fe+ 有效的途徑，且只有對 56Fe+的分析才能獲得含鐵納米顆粒分析最低的檢出限。
本研究將證明利用單顆粒 ICP - MS 在反應模式下測定和表征半導體有機溶劑中的含鐵納米顆粒是切實可行的。
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