6
當前位置：岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司>>晶圓缺陷檢測>>LAZIN>> CI8化合物半導體SiC、GaN晶圓檢查裝置
列真株式會社自創(chuàng)業(yè)以來，秉承“挑戰(zhàn)"、“創(chuàng)造"、“誠實"的經(jīng)營理念，為顧客提供可靠、可信的產(chǎn)品和服務(wù)。運用激光掃描技術(shù)，專門制造、銷售半導體材料表面及內(nèi)部檢查、石英玻璃表面檢查等檢查裝置。其激光檢測技術(shù)可同時收集激光的反射光，透射光以及共聚焦，可一次性檢查第三代半導體SIC等材料表面，背面和內(nèi)部的缺陷，可探測最小缺陷為100納米，主要用于半導體光罩、LCD大型光罩的石英玻璃表面、內(nèi)部、背面的缺陷檢查。
特征：
-
SiC單晶晶圓和EPI晶圓都可以檢查。
-
不僅是表面缺陷，內(nèi)部缺陷和背面缺陷也同時檢查。
-
有助于缺陷分析的4種Review圖像。
-
“AI Classify”進行缺陷分類、好壞判定。
-
免維護。
-
世界FIRST用反射散射光、透射散射光、共聚焦光的混合檢查裝置。
-
能檢出至今為止檢查不出的缺陷。
-
規(guī)格：
| 檢查激光 | 405nm 200mW |
| 檢查時間 | 200sec（尺寸：4英寸） |
| 檢查對象 | 2英寸、3英寸、4英寸、6英寸 |
| 設(shè)備尺寸 | WxDxH＝450x500x730mm |
| 使用電源 | AC100V~200V 10A |
應用：
SiC、GaN
半導體光罩（石英玻璃與涂層）
石英Wafer Si Wafer
HDD Disk LT Wafer
藍寶石襯底
EUV光罩
光罩防塵膜
可全面檢測表面、內(nèi)部、背面的缺陷。
檢出缺陷：顆粒、劃痕、結(jié)晶缺陷。
外延缺陷 襯底缺陷
胡蘿卜型缺陷 六方空洞缺陷
慧星缺陷 層錯缺陷
三角缺陷 微管缺陷
邊緣缺陷
