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貨物所在地：上海上海市
更新時(shí)間：2024-11-30 21:00:07
有效期：2024年11月30日 -- 2025年5月30日
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1、FR-Scanner-AIO-Mic-RΘ150介紹
模塊化厚度測(cè)繪系統(tǒng)平臺(tái)，集成了光學(xué)、電子和機(jī)械模塊，用于表征圖案化薄膜光學(xué)參數(shù)。典型案例包括（但不限于）微圖案表面、粗糙表面等。晶圓放置在真空吸盤(pán)上，該真空吸盤(pán)支持尺寸/直徑達(dá) 300 毫米的各種晶圓，執(zhí)行測(cè)量光斑尺寸小至幾微米的強(qiáng)大光學(xué)模塊。具超高精度和可重復(fù)性的電動(dòng)RΘ 載物臺(tái)，在速度、精度和可重復(fù)性方面具有出色的性能。
FR-Scanner-AIO-Mic-RΘ150提供：o 實(shí)時(shí)光譜反射率測(cè)量 o 薄膜厚度、光學(xué)特性、不均勻性測(cè)量、厚度測(cè)繪o 使用集成的、USB 連接的高質(zhì)量彩色相機(jī)進(jìn)行成像o 測(cè)量參數(shù)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù) * 還提供用于測(cè)量更大直徑晶圓上涂層的工具（最大 450 毫米）
2、特征
o 單擊分析（無(wú)需初始猜測(cè)）
o 動(dòng)態(tài)測(cè)量
o 光學(xué)參數(shù)（n & k、色座標(biāo)）
o Click2Move 和圖案測(cè)量位置對(duì)齊功能
o 多個(gè)離線分析安裝
o 免費(fèi)軟件更新
3、規(guī)格
Model | UV/VIS | UV/NIR -EX | UV/NIR-HR | D UV/NIR | VIS/NIR | D VIS/NIR | NIR | NIR-N2 | ||
Spectral Range (nm) | 200 – 850 | 200 –1020 | 200-1100 | 200 – 1700 | 370 –1020 | 370 – 1700 | 900 – 1700 | 900 - 1050 | ||
Spectrometer Pixels | 3648 | 3648 | 3648 | 3648 & 512 | 3648 | 3648 & 512 | 512 | 3648 | ||
Thickness range (SiO2) *1 | 5X- VIS/NIR | 4nm – 60μm | 4nm – 70μm | 4nm – 100μm | 4nm – 150μm | 15nm – 90μm | 15nm–150μm | 100nm-150μm | 4um – 1mm | |
10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR* | 4nm – 50μm | 4nm – 60μm | 4nm – 80μm | 4nm – 130μm | 15nm – 80μm | 15nm–130μm | 100nm–130μm | – | ||
15X- UV/NIR * | 4nm – 40μm | 4nm – 50μm | 4nm – 50μm | 4nm – 120μm | – | – | 100nm-100μm | – | ||
20X- VIS/NIR 20X- UV/NIR * | 4nm – 25μm | 4nm – 30μm | 4nm – 30μm | 4nm – 50μm | 15nm – 30μm | 15nm – 50μm | 100nm – 50μm | – | ||
40X- UV/NIR * | 4nm – 4μm | 4nm – 4μm | 4nm – 5μm | 4nm – 6μm | – | – | – | – | ||
50X- VIS/NIR | – | – | – | – | 15nm – 5μm | 15nm – 5μm | 100nm – 5μm | – | ||
Min. Thickness for n & k | 50nm | 50nm | 50nm | 50nm | 100nm | 100nm | 500nm | – | ||
Thickness Accuracy **2 | 0.1% or 1nm | 0.2% or 2nm | 3nm or 0.3% | |||||||
Thickness Precision **3/4 | 0.02nm | 0.02nm | <1nm | 5nm | ||||||
Thickness stability **5 | 0.05nm | 0.05nm | <1nm | 5nm | ||||||
Light Source | Deuterium & Halogen | Halogen (internal), 3000h (MTBF) | ||||||||
R/Angle resolution | 5μm/0.1o | |||||||||
Material Database | > 700 different materials | |||||||||
Wafer size | 2in-3in-4in-6in-8in-300mm | |||||||||
Scanning Speed | 100meas/min (8’’ wafer size) | |||||||||
Tool footprint / Weight | 650x500mm / 45Kg | |||||||||
Power | 110V/230V, 50-60Hz, 350W | |||||||||
測(cè)量區(qū)域光斑（收集反射信號(hào)的區(qū)域）與物鏡和孔徑大小有關(guān)
物鏡 | Spot Size (光斑) | ||
放大倍率 | 500微米孔徑 | 250微米孔徑 | 100微米孔徑 |
5x | 100 μm | 50 μm | 20 μm |
10x | 50 μm | 25 μm | 10 μm |
20x | 25 μm | 15 μm | 5 μm |
50x | 10 μm | 5 μm | 2 μm |
4、工作原理
Principle of Operation 測(cè)量原理White Light Reflectance Spectroscopy (WLRS) 白光反射光譜是測(cè)量從單層薄膜或多層薄膜堆疊結(jié)構(gòu)的一個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)的反射量，入射光垂直于樣品表面，由于界面干涉產(chǎn)生的反射光譜被用來(lái)計(jì)算確定（透明或部分透明或wan'quan反射基板上）薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)（N&K）等。
*1規(guī)格如有變更，恕不另行通知，*2與校正過(guò)的光譜橢偏儀和x射線衍射儀的測(cè)量結(jié)果匹配，*3超過(guò)15天平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差平均值，樣品:硅晶片上1微米SiO2，*4標(biāo)準(zhǔn)偏差100次厚度測(cè)量結(jié)果，樣品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天內(nèi)每日平均值的2*標(biāo)準(zhǔn)差。樣品:硅片上1微米SiO2。
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