碘化鎵（碲摻雜）晶體（99.995%） GaTeI
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

低維材料新層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：

FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
具體請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服

碘化鎵（碲摻雜）晶體（99.995%） GaTeI
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

低維材料新層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：

FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
具體請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服

（99.995%） GaTeI
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

低維材料新層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：

FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
具體請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服

（99.995%） GaTeI
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

低維材料新層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：

FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
具體請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服

（99.995%） GaTeI
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

低維材料新層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：

FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
具體請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服