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產(chǎn)品簡介
LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單（多）晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。
詳細(xì)介紹
單（多）晶少子壽命測試儀
型號LT-2
LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單（多）晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。
本儀器根據(jù)通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì)，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測量數(shù)據(jù)可靠。
技術(shù)指標(biāo)：
測試單晶電阻率范圍>2Ω.cm
可測單晶少子壽命范圍5μS～7000μS
配備光源類型波長：1.09μm；余輝<1μS；
閃光頻率為：20～30次／秒；
閃光頻率為：20～30次／秒；
高頻振蕩源用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
前置放大器放大倍數(shù)約25，頻寬2Hz-1MHz
儀器測量重復(fù)誤差<±20％
測量方式采用對標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式
儀器消耗功率<25W
儀器工作條件溫度：10-35℃、濕度<80％、使用電源：AC220V，50Hz
可測單晶尺寸斷面豎測：φ25mm—150mm；L2mm—500mm；
縱向臥測：φ25mm—150mm；L50mm—800mm；
配用示波器頻寬0—20MHz；
電壓靈敏：10mV／cm。
專業(yè)制造，廠價(jià)直銷！: 李 :