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STD-B-介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀
- 發(fā)布日期：
- 有效日期：
- 所 在 地：
- 產(chǎn) 地：
- 已獲點(diǎn)擊：
- 2025年4月16日
- 2025年7月16日
- 湖南湘潭市
- 湖南省湘潭市岳塘區(qū)中南高科智造園B6-101
- 7次
【產(chǎn)品簡(jiǎn)介】
【詳細(xì)說(shuō)明】
STD-B介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀由高頻Q表、S916測(cè)試裝置（夾具）、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件、及LKI-1型電感器組, 液體杯(可選,用于測(cè)試液態(tài)材料)組成。其依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美標(biāo)ASTM D150以及國(guó)際電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動(dòng)測(cè)量解決方案。
STD-B介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)
主機(jī) | STD-B高頻Q表 |
測(cè)試裝置 | S916 |
LKI-1型電感器組（9個(gè)） | √ |
液體杯 | √ |
1. STD-B主機(jī)參數(shù):
功能名稱(chēng)： | STD-B |
信號(hào)源范圍DDS數(shù)字合成信號(hào) | 10KHZ-110MHz |
信號(hào)源頻率覆蓋比 | 11000:1 |
信號(hào)源頻率精度 6位有效數(shù) | 3×10-5 ±1個(gè)字 |
Q測(cè)量范圍 | 1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程 |
Q分辨率 | 分辨率0.1，4位有效數(shù) |
Q測(cè)量工作誤差 | <5% |
采樣精度 | 11BIT |
電感測(cè)量 4位有效數(shù),分辨率0.1nH | 1nH-8.4H , 分辨率0.1nH |
電感測(cè)量誤差 | <5% |
調(diào)諧電容 | 主電容30-540pF |
電容直接測(cè)量范圍 | 1pF～2.5uF |
調(diào)諧電容誤差,分辨率 | ±1 pF或<1% ,0.1pF |
諧振點(diǎn)搜索 | 自動(dòng)掃描 |
Q合格預(yù)置范圍 | 5-1000聲光提示 |
Q量程切換 | 自動(dòng)/手動(dòng) |
LCD顯示參數(shù) | F，L，C，Q，Lt，Ct等 |
自身殘余電感和測(cè)試引線(xiàn)電感的 | 有 |
大電容值直接測(cè)量顯示功能 | 測(cè)量值可達(dá)2.5uF |
介質(zhì)損耗系數(shù) | 精度 萬(wàn)分之三 |
最小介質(zhì)損耗 | 萬(wàn)分之一 |
介電常數(shù) | 精度 千分之一 |
材料測(cè)試厚度 | 0.1mm-10mm |
2. 介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試夾具S916：
a) 4位數(shù)顯式調(diào)節(jié)微桿；夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz）。
b) 極片尺寸≧38mm；極片間距可調(diào)范圍： ≥15mm;夾具插頭間距：38mm±0.01mm;夾具損耗正切值：≤4×10－4 （1MHz）；測(cè)微桿分辨率： ≤0.001mm。
c) 液體杯: 直徑48mm 深度 7mm,可與S916下極片互換使用。
3. 電感組LKI-1：5mH ,2.5mH ,1mH , 250μH , 100μH ,25μH , 10μH ,2.5μH ,0.5μH.