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上海雙旭電子有限公司
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當(dāng)前位置:上海雙旭電子有限公司>>自動(dòng)化儀表>>鎧裝鉑電阻>> WZPK-505U鎧裝薄膜鉑熱電阻|WZPK-505U|

鎧裝薄膜鉑熱電阻|WZPK-505U|

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)WZPK-505U

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地上海市

更新時(shí)間:2024-07-17 16:19:51瀏覽次數(shù):1333次

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WZPK-505U|鎧裝薄膜鉑熱電阻 CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用*激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成,*自動(dòng)的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。

WZPK-505U|鎧裝薄膜鉑熱電阻的詳細(xì)介紹
WZPK-505U|鎧裝薄膜鉑熱電阻

Pt100

 

WZPK-505U|鎧裝薄膜鉑熱電阻 CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用*激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成,*自動(dòng)的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。


 

WZPK-505U|鎧裝薄膜鉑熱電阻
的詳細(xì)介紹
WZPK-505U|鎧裝薄膜鉑熱電阻
1.              測(cè)溫范圍、允差

名稱(chēng)
型號(hào)
分度號(hào)
測(cè)溫范圍
等級(jí)
允許偏差
鉑電阻
WZP
Pt100
Pt10
-200~±650
A
±(0.15+0.02t)
B
±0.30+0.005t
銅電阻
WZC
Cu50
Cu100
-50~+150
 
±(0.30+0.006t)

2.熱響應(yīng)時(shí)間
   在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA,zui大測(cè)量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
 
4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱(chēng)值的偏差

名稱(chēng)
等級(jí)
α
α
鉑電阻
A
0003851
±0.000006
B
±0.000012
銅電阻
 
0004280
±0.000020

5.絕緣電阻
     當(dāng)周?chē)諝鉁囟?/span>15-35和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
 
薄膜鉑電阻元件
一、         概述
      CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用*激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成,*自動(dòng)的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、         技術(shù)特點(diǎn)
1.              薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。
2.              鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3.              薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。
4.              引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5.              規(guī)格:

型號(hào)
規(guī)格
長(zhǎng)×寬×高
阻值
測(cè)量電流
精度
測(cè)量范圍
熱響應(yīng)時(shí)間
CRZ-1632
3.2×1.6×1.0
PT100
PT100
1mA
A
-50~550℃
0.3S
CRZ-2005
5.0×2.0×1.1
PT50
2mA
A
-50~400℃
CRZ-2005
5.0×2.0×1.0
PT10
0.5mA
B
-50~500

6.              精度:

等級(jí)
α
0時(shí)的電阻值(Ω)
允許偏差(Ω)
A
 0.003851
100.00
±0.150+0.002t
B
0.003851
100.00
±0.30+0.005t

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