近期，德國Scientific Instruments Dresden GmbH（下文簡稱：ScIDre）公司生產(chǎn)的HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)爐在中國電子科技集團公司第九研究所順利完成安裝調(diào)試。
圖1：德國ScIDre制造商工程師安裝現(xiàn)場圖片
圖2：設(shè)備運行、調(diào)試現(xiàn)場圖片
光學浮區(qū)法單晶生長工藝具有無需坩堝、無污染、生長快速、易于實時觀察晶體生長狀態(tài)等諸多優(yōu)點，有利于縮短晶體的研究周期并加快難以生長晶體的研究進展，非常適合晶體生長研究，是目前獲得優(yōu)質(zhì)單晶樣品的手段之一，現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于各種超導材料、介電和磁性材料以及其它各種氧化物及金屬間化合物的單晶生長。
目前，高熔點、易揮發(fā)性材料是浮區(qū)法單晶生長領(lǐng)域的技術(shù)難點之一。針對于此，德國ScIDre公司研發(fā)推出了HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐，設(shè)備可提供高達3000℃以上的生長溫度，同時晶體生長腔可實現(xiàn)高達300bar的壓力，可通過高壓手段達到抑制揮發(fā)的作用。HKZ的誕生進一步優(yōu)化了光學浮區(qū)法單晶爐的生長工藝條件，拓寬了光學浮區(qū)技術(shù)的應(yīng)用場景，使得高熔點、易揮發(fā)性材料的單晶生長成為了可能。
圖3：德國ScIDre公司HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐
德國ScIDre公司HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐技術(shù)特色：
? 采用垂直式光路設(shè)計方案，加熱更均勻
? 可同時實現(xiàn)壓力高達300bar（選配）和溫度高達3000℃（選配）；
? 能夠獨立控制不同氣體的流速和流量，能夠?qū)崿F(xiàn)樣品生長的氣體定速、定量混合供氣；
? 在保持氙燈輸出功率恒定的情況下，采用調(diào)節(jié)光闌（shutter）的方式對熔區(qū)進行控溫；
? 能夠針對不同溫度需求采用不同功率的氙燈，從而對燈泡進行有效利用，充分發(fā)揮燈泡使用效率和壽命；
? 擁有豐富的功能選件可進行選擇和拓展，包括特殊的熔區(qū)紅外測溫選件、1×10-5mbar的高真空選件、實現(xiàn)氧含量達10-12PPM的氣體除雜選件、對長成的單晶可提供高壓氧環(huán)境退火裝置選件等。
圖4：高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐光路原理示意圖 中國電子科技集團公司第九研究所（西南應(yīng)用磁學研究所），主要從事磁性功能材料方向的研發(fā)、生產(chǎn)和基礎(chǔ)研究，是我國磁學領(lǐng)域重要的綜合性應(yīng)用磁學研究機構(gòu)之一。Quantum Design中國非常榮幸將德國ScIDre公司生產(chǎn)的HKZ高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐安裝于中國電子科技集團公司第九研究所，該系統(tǒng)將為用戶單位在磁性功能材料及其他新材料探索等諸領(lǐng)域的科研工作提供相關(guān)單晶樣品制備支持！
相關(guān)產(chǎn)品：
1、高溫高壓光學浮區(qū)爐
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