會(huì)員.png)
9
石墨烯/二維材料電學(xué)性質(zhì)非接觸快速測(cè)量系統(tǒng)
西班牙Das Nano公司成立于2012年，是家提供高安全別打印設(shè)備，太赫茲無(wú)損檢測(cè)設(shè)備以及個(gè)人身份安全驗(yàn)證設(shè)備的高科技公司。ONYX是其在各地范圍內(nèi)推出的款針對(duì)石墨烯、半導(dǎo)體薄膜和其他二維材料大面積太赫茲無(wú)損表征的測(cè)量設(shè)備。ONYX采用進(jìn)的脈沖太赫茲時(shí)域光譜技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了從科研及到工業(yè)的大面積石墨烯及二維材料的無(wú)損和高分辨，快速的電學(xué)性質(zhì)測(cè)量，為石墨烯和二維材料科研和產(chǎn)業(yè)化研究提供了強(qiáng)大的支持。
與傳統(tǒng)四探針測(cè)量法相比，ONYX無(wú)損測(cè)量樣品質(zhì)量空間分布
與拉曼，AFM，SEM相比，ONYX能夠快速表征超大面積樣品
背景介紹
太赫茲輻射( T射線)通常指的是頻率在0. 1～10THz、波長(zhǎng)在30 μm-3 mm之間的電磁波，其波段在微波和紅外之間，屬于遠(yuǎn)紅外和亞毫米波范疇。該頻段是宏觀經(jīng)典理論向微觀量子理論的過(guò)度區(qū)，也是電子學(xué)向光子學(xué)的過(guò)渡區(qū)。在20世紀(jì)80年代中期以前,由于缺乏有效的產(chǎn)生方法和探測(cè)手段,科學(xué)家對(duì)于該波段電磁輻射性質(zhì)的了解和研究非常有限,在相當(dāng)長(zhǎng)的段時(shí)期,很少有人問(wèn)津。電磁波譜中的這波段(如下圖) ,以至于形成遠(yuǎn)紅外和亞毫米波空白區(qū),也就是太赫茲空白區(qū)（THz gap）。
太赫茲波段顯著的點(diǎn)是能夠穿透大多數(shù)介電材料（如塑料、陶瓷、藥品、緣體、紡織品或木材），這為無(wú)損檢測(cè)（NDT）開(kāi)辟了個(gè)可能的新。同時(shí)，許多材料在太赫茲頻率上呈現(xiàn)出可識(shí)別的頻率指紋性，使得太赫茲波段能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)許多材料的定性和定量研究。太赫茲波的這兩個(gè)性結(jié)合在起，使其成為種全新的材料研究手段。而且其光子能量低，不會(huì)引起電離，可以做到真正的無(wú)損檢測(cè)。
ONYX工作原理
ONYX是實(shí)現(xiàn)石墨烯、半導(dǎo)體薄膜和其他二維材料全面積無(wú)損表征的測(cè)量系統(tǒng)，能夠滿足測(cè)試面積從科研（mm2）到晶元（cm2）以及工業(yè)（m2）的不同要求。與其他大面積樣品的測(cè)量方法（如四探針?lè)ǎ┫啾龋?/span>ONYX能夠直觀得到樣品導(dǎo)電性能的空間分布。與拉曼、掃描電鏡和透射電鏡等微觀方法相比，微米的空間分辨率能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)大面積樣品的快速表征。
ONYX采用進(jìn)的脈沖太赫茲時(shí)域光譜THz-TDS技術(shù)，產(chǎn)生皮秒量的短脈太赫茲沖輻射。穿透性*的太赫茲輻射穿透進(jìn)樣品達(dá)到各個(gè)界面，均會(huì)產(chǎn)生個(gè)小反射波可以被探測(cè)器捕獲，獲得太赫茲脈沖的電場(chǎng)強(qiáng)度的時(shí)域波形。對(duì)太赫茲時(shí)域波形進(jìn)行傅里葉變換,就可以得到太赫茲脈沖的頻譜。分別測(cè)量通過(guò)試樣前后(或直接從試樣激發(fā)的)太赫茲脈沖波形,并對(duì)其頻譜進(jìn)行分析和處理,就可獲得被測(cè)樣品介電常數(shù)，吸收吸收以及載流子濃度等物理信息。再用步進(jìn)電機(jī)完成其掃描成像，得到其二維的電學(xué)測(cè)量結(jié)果。
ONYX主要參數(shù)及點(diǎn)
樣品大小: 10x10mm-200x200mm 全面的電導(dǎo)率和電阻率分析 樣品全覆蓋測(cè)量 分辨率：50μm *非接觸無(wú)損 無(wú)需樣品制備 | 載流子遷移率, 散射時(shí)間, 濃度分析 可定制樣品測(cè)量面積(m2量) 超快測(cè)量速度： 12cm2/min 軟件功能豐富，界面友好 全自動(dòng)操作 |
圖1 太赫茲光譜范圍及信噪比
ONYX主要功能
→ 直流電導(dǎo)率（σDC） → 載流子遷移率, μdrift → 直流電阻率, RDC | → 載流子濃度, Ns → 載流子散射時(shí)間，τsc → 表面均勻性 |
ONYX應(yīng)用方向
石墨烯材料： → 單層/多層石墨烯 → 石墨烯溶液 → 摻雜石墨烯 → 石墨烯粉末 → 氧化石墨烯 → SiC外延石墨烯 | 其他二維材料： → PEDOT → Carbon Nanotubes → ITO → NbC → IZO → ALD-ZnO |
石墨烯 |
光伏薄膜材料 |
半導(dǎo)體薄膜 |
電子器件 |
PEDOT |
鎢納米線 |
GaN顆粒 |
Ag 納米線 |
測(cè)試數(shù)據(jù)
1. 10x10mm CVD制備的石墨烯在不同分辨率下的電導(dǎo)率結(jié)果
2.10 x10mm CVD制備的石墨烯不同電學(xué)參數(shù)測(cè)量結(jié)果
3.用ONYX測(cè)量ALD沉積在硅基底上的TiN電導(dǎo)率測(cè)量結(jié)果
應(yīng)用案例
■ 《石墨烯電學(xué)測(cè)量方法標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)手冊(cè)》
近期，歐洲計(jì)量創(chuàng)新與研究計(jì)劃（EMPIR）的項(xiàng)目 “GRACE-石墨烯電學(xué)性測(cè)量的新方法”發(fā)布了關(guān)于石墨烯電學(xué)性測(cè)量方法的標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)手冊(cè)。“GRACE-石墨烯電學(xué)性測(cè)量新方法”項(xiàng)目是由英國(guó)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(NPL)主導(dǎo)，與意大國(guó)家計(jì)量研究所、西班牙Das-nano 公司等合作，旨在開(kāi)發(fā)石墨烯電學(xué)性的新型測(cè)量方法，以及未來(lái)石墨烯電學(xué)測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)化制定。
圖 石墨烯電學(xué)測(cè)量方法標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)手冊(cè)(發(fā)送郵件至info@qd-china.com獲取完整版資料)
石墨烯由于其*異的電學(xué)性，在未來(lái)有望成為大規(guī)模應(yīng)用于電子工業(yè)及能源域的新材料。但是，目前受限于：1）如何制備大面積高質(zhì)量石墨烯，且具有均勻和可重復(fù)的電氣和電子性能；2）無(wú)論是作為科研用的實(shí)驗(yàn)樣品還是在生產(chǎn)線中的批量化生產(chǎn)，對(duì)其電學(xué)性質(zhì)的準(zhǔn)確且可重復(fù)的表征方法目前尚不完善，缺乏正確實(shí)施此類測(cè)量方法的指導(dǎo)手冊(cè)及測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)。針對(duì)目前面臨的問(wèn)題和挑戰(zhàn)，EMPIR 的“石墨烯電學(xué)性測(cè)量新方法”項(xiàng)目對(duì)現(xiàn)有測(cè)量方法進(jìn)行了總結(jié)和規(guī)范指導(dǎo)，更重要的是開(kāi)發(fā)了石墨烯電學(xué)性的快速高通量，非接觸測(cè)量的新方法，并用現(xiàn)有技術(shù)對(duì)其進(jìn)行了驗(yàn)證，取得了很好的致性。
西班牙Das-Nano公司參與了“GRACE-石墨烯電學(xué)性測(cè)量新方法”項(xiàng)目中基于THz-TDS的全新非接觸測(cè)量方法的開(kāi)發(fā)及測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的制定。基于該技術(shù)，Das-Nano推出了款可以實(shí)現(xiàn)大面積（8英寸wafer）石墨烯和其他二維材料的全區(qū)域無(wú)損非接觸快速電學(xué)測(cè)量系統(tǒng)-ONYX。ONYX采用體化的反射式太赫茲時(shí)域光譜技術(shù)（THz-TDS）彌補(bǔ)了傳統(tǒng)接觸測(cè)量方法（如四探針?lè)? Four-probe Method，范德堡法-Van Der Pauw和電阻層析成像法-Electrical Resistance Tomography）及顯微方法（原子力顯微鏡-AFM, 共聚焦拉曼-Raman，掃描電子顯微鏡-SEM以及透射電子顯微鏡-TEM）之間的不足和空白。ONYX可以快速測(cè)量從0.5 mm2到~m2的石墨烯及其他二維材料的電學(xué)性，為科研和工業(yè)化提供了種顛覆性的檢測(cè)手段[1,2]。
更多詳細(xì)信息請(qǐng)點(diǎn)擊：歐洲計(jì)量創(chuàng)新與研究計(jì)劃（EMPIR）發(fā)布《石墨烯電學(xué)測(cè)量方法標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)手冊(cè)》
參考文獻(xiàn)：
[1] Cultrera, A., Serazio, D., Zurutuza, A. et al. Mapping the conductivity of graphene with Electrical Resistance Tomography. Sci Rep 9, 10655 (2019).
[2] Melios, C., Huang, N., Callegaro, L. et al. Towards standardisation of contact and contactless electrical measurements of CVD graphene at the macro-, micro- and nano-scale. Sci Rep 10, 3223 (2020).
發(fā)表文章
1. P Bogild et al. Mapping the electrical properties of large-area graphene. 2D Mater. 4 (2017) 042003.
2. S Fernández et al. Advanced Graphene-Based Transparent Conductive Electrodes for Photovoltaic Applications. Micromachines 2019, 10, 402.
3. David M. A. Mackenzie et al. Quality assessment of terahertz time-domain spectroscopy transmission and reflection modes for graphene conductivity mapping. OPTICS EXPRESS 9220, Vol. 26, No. 7, 2 Apr 2018.
4. A Cultrera et al. Mapping the conductivity of graphene with Electrical Resistance Tomography. Scientific Reports , (2019) 9:10655
用戶單位
重要客戶
|
|
|
|
|
|
合作伙伴
 |  |  |
參與項(xiàng)目
