臺(tái)式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

   臺(tái)式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD是為制備高質(zhì)量的石墨烯與碳納米管而開(kāi)發(fā)的高性能臺(tái)式CVD系統(tǒng)。在與諾獎(jiǎng)科研團(tuán)隊(duì)的長(zhǎng)期合作中獲得的豐富經(jīng)驗(yàn)使該系列產(chǎn)品具有非常高的性能。別是針對(duì)石墨烯、碳納米管等不同的應(yīng)用進(jìn)行了針對(duì)性的化。該系列產(chǎn)品操作簡(jiǎn)便，生長(zhǎng)條件控制準(zhǔn)確，生長(zhǎng)迅速、制備出的樣品具有高質(zhì)量、高可重復(fù)性，這些點(diǎn)使得該系列產(chǎn)品受到多個(gè)石墨烯研究團(tuán)隊(duì)的贊譽(yù)。該系列產(chǎn)品適合于想要制備高質(zhì)量石墨烯或碳納米管用于前沿學(xué)術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。例如，?？巳髮W(xué)、哈德斯菲爾德大學(xué)、萊頓大學(xué)、亞森工業(yè)大學(xué)這些的高校均是nanoCVD系列的用戶。

   nanoCVD采用全新的設(shè)計(jì)理念，可以快速、高質(zhì)量地生產(chǎn)石墨烯或碳納米管。與傳統(tǒng)的簡(jiǎn)易CVD(管式爐)相比，該系統(tǒng)基于冷壁設(shè)計(jì)方案，具有以下主要點(diǎn):

◎  系統(tǒng)可以快速的升溫和降溫。

◎  更加準(zhǔn)確的條件控制和可靠的工藝重現(xiàn)性。

◎  安全性設(shè)計(jì)，具有尾氣稀釋模塊。

◎  智能化設(shè)計(jì)，全自動(dòng)引導(dǎo)式觸屏操作系統(tǒng)。

◎  支持自動(dòng)程序的設(shè)定與儲(chǔ)存。

◎  雄厚的技術(shù)積累，業(yè)的技術(shù)支持。

設(shè)備型號(hào)：

臺(tái)式超高質(zhì)量石墨烯快速制備CVD系統(tǒng)- nanoCVD 8G

   nanoCVD-8G系統(tǒng)是性能穩(wěn)定的快速的石墨烯生長(zhǎng)系統(tǒng)。nanoCVD-8G具有壓強(qiáng)自動(dòng)控制系統(tǒng)，可以準(zhǔn)確的控制石墨烯生長(zhǎng)過(guò)程中的氣氛條件。系統(tǒng)采用低熱容的樣品臺(tái)可在2分鐘內(nèi)升溫至1000℃并準(zhǔn)確控溫。該裝置采用了冷壁技術(shù)，樣品生長(zhǎng)完畢后可以快速降溫。正是因?yàn)檫@些條件可以讓用戶在30分鐘內(nèi)即可獲得高質(zhì)量的石墨烯。用戶通過(guò)HMI觸屏進(jìn)行操作，所有的硬件都是自動(dòng)化的。更有內(nèi)置的標(biāo)準(zhǔn)石墨烯生長(zhǎng)示例程序供用戶參考。該系統(tǒng)安裝迅速，非常適合需要持續(xù)快速獲取高質(zhì)量石墨烯用于高質(zhì)量學(xué)術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。?？巳髮W(xué)、哈德斯菲爾德大學(xué)、萊頓大學(xué)、亞森工業(yè)大學(xué)等很多著名的高校都是該系統(tǒng)的用戶。

部分?jǐn)?shù)據(jù)展示：

小型等離子增強(qiáng)大尺寸石墨烯制備CVD系統(tǒng) - nanoCVD WPG

   nanoCVD-WPG將nanoCVD-8G高質(zhì)量石墨烯生長(zhǎng)的功能與等離子體增強(qiáng)技術(shù)相結(jié)合，系統(tǒng)可制備晶圓尺寸(3英寸或4英寸)別的樣品。除此之外，用該系統(tǒng)準(zhǔn)確的生長(zhǎng)控制條件可以制備多種高質(zhì)量的2D材料，該系統(tǒng)是小型CVD系統(tǒng)性能上的個(gè)重大飛躍。全新的設(shè)計(jì)方案和控制系統(tǒng)使該系統(tǒng)成為制備大面積2D樣品的上佳選擇。

   應(yīng)用域包括:石墨烯和2D材料、光伏電、觸屏材料、高性能生物電子材料、傳感器、儲(chǔ)能材料。

發(fā)表文章

Residual metallic contamination of transferred chemical vapor deposited graphene

Lupina, G., et al. ACS Nano 2015 DOI: 10.1021/acsnano.5b01261

本文作者研究了通常用于將CVD石墨烯放置到應(yīng)用襯底上的濕轉(zhuǎn)移工藝會(huì)導(dǎo)致材料的微量污染。這些純度會(huì)對(duì)石墨烯的其他殊性產(chǎn)生不影響，并對(duì)電子和光電應(yīng)用產(chǎn)生影響。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8G

Transparent conductive graphene textile fibers

Neves, A. I. S., et al. Scientific Reports 2015 DOI: 10.1038/srep09866

使用nanoCVD-8G制成的石墨烯被轉(zhuǎn)移到纖維上，*生產(chǎn)出柔韌的、*嵌入的紡織電。石墨烯的高質(zhì)量意味著電有超低的表面電阻和高的機(jī)械穩(wěn)定性。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8G

High quality monolayer graphene synthesized by resistive heating cold wall chemical vapor deposition

Bointon, T. H., et al. Advanced Materials 2015 DOI: 10.1002/adma.201501600

展示了冷壁法CVD合成石墨烯的勢(shì)，并報(bào)道了使用nanoCVD – 8G制備的高質(zhì)量石墨烯材料具有超高的載流子遷移率，表現(xiàn)出半整數(shù)量子霍爾效應(yīng)，這與剝離制備的樣品相當(dāng)。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8G

Mapping nanoscale electrochemistry of individual single-walled carbon nanotubes

Güell, A. G., et al. Nano Letters 2014 DOI: 10.1021/nl403752e

用nanoCVD – 8N技術(shù)制備了單壁碳納米管，并用電化學(xué)技術(shù)對(duì)其進(jìn)行了研究。高分辨率的測(cè)量可以檢查單個(gè)單壁碳納米管的性。這發(fā)現(xiàn)對(duì)未來(lái)使用SWNT電的器件設(shè)計(jì)具有重要意義。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8N

Nanoscale electrocatalysis: Visualizing oxygen reduction at pristine, kinked, and oxidized sites on individual carbon nanotubes

Byers, J. C., et al. Journal of the American Chemical Society 2014 DOI: 10.1021/ja505708y

電化學(xué)技術(shù)，結(jié)合使用nanoCVD - 8N技術(shù)產(chǎn)生的單壁碳納米管，被用來(lái)證明即使在沒(méi)有摻雜、修飾或缺陷的情況下，碳納米管也表現(xiàn)出顯著的活性。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8N

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