摘要采用激光誘導(dǎo)擊穿光譜法(LIBS)對共蒸發(fā)法制備的涂Mo鈉鈣玻璃上的CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)吸收層進行了元素分析。研究了LIBS檢測1.23μm厚的CIGS吸收層的激光和檢測參數(shù)。Ga/In比值與x射線熒光和電感耦合等離子體發(fā)射光譜測量的濃度比值的校準(zhǔn)結(jié)果具有良好的線性關(guān)系。

介紹了LIBS法在CIGS吸收層材料成分分析中的應(yīng)用。使用Nd:YAG激光器LIBS檢測CIGS薄膜的z+u+i優(yōu)檢測條件為激光脈沖能量0.9mJ，光斑直徑150μm，門延遲為0.7μs，門寬為3 μs。測定的Ga/In比值LIBS信號與Ga濃度呈良好的線性關(guān)系。盡管XRF或ICP-OES測量的參考濃度值存在不確定性，但這些初始數(shù)據(jù)表明LIBS可以作為CIGS太陽能電池行業(yè)中實時監(jiān)測材料成分的一種可行技術(shù)。通過使用已知成分的樣品，可以降低參考濃度的不確定度。