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高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)--PVD500
真空室結構:方形前開門
真空室尺寸:p500x500x500mm
極限真空度:≤3.0E-5Pa
沉積源:永磁靶4套，2英寸
樣品尺寸，溫度:p4英寸，1片，最高800°C
占地面積(長x寬x高):約2米x1.7米x2米
電控描述:全自動
工藝:片內膜厚均勻性:≤3%
特色參數:
產品概述：
本沉積系統(tǒng)可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質保護薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結構，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。
設備特點：
本設備是一個鍍膜平臺，可把磁控靶拆下換電子槍成為電子束鍍膜系統(tǒng)、或換蒸發(fā)源作為熱蒸發(fā)系統(tǒng)、或換上離子槍作為離子束鍍膜系統(tǒng)等。
設備用途：
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研項目
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