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非晶矽前驅(qū)物（a-Si）。

氮化矽 (SiNx)。

氧化矽，矽烷基(SiOx)。

氧化矽，TEOS (SiOx)。

客製化基板尺寸最大為550 x 650 mm2(玻璃)。

優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

每個製程腔內(nèi)最多可加裝7組氣體管線。

遠(yuǎn)程電漿進(jìn)行腔體清潔。

穩(wěn)定的溫度控制，可將基板加熱到380°C。

Cassette傳送站。

TEOS沉積製程。

OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。