從匈牙利Semilab公司引進(jìn)，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體/光電/光伏材料（單晶/多晶硅片及硅錠）的工藝控制及測(cè)試手段。通過測(cè)量少子壽命，可做出晶體生長(zhǎng)及工藝過程引入的缺陷圖及硅片中的Fe元素污染圖。儀器主要功能有微波光電導(dǎo)衰減法測(cè)少子壽命，光誘導(dǎo)電流測(cè)試，無接觸方塊電阻測(cè)試，渦流場(chǎng)體電阻率測(cè)試，F(xiàn)e元素含量測(cè)試。
: 李 :
少子壽命測(cè)試儀（WT-2000型）
一、少子壽命測(cè)試儀儀器簡(jiǎn)介:
從匈牙利Semilab公司引進(jìn)，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體/光電/光伏材料（單晶/多晶硅片及硅錠）的工藝控制及測(cè)試手段。通過測(cè)量少子壽命，可做出晶體生長(zhǎng)及工藝過程引入的缺陷圖及硅片中的Fe元素污染圖。儀器主要功能有微波光電導(dǎo)衰減法測(cè)少子壽命，光誘導(dǎo)電流測(cè)試，無接觸方塊電阻測(cè)試，渦流場(chǎng)體電阻率測(cè)試，F(xiàn)e元素含量測(cè)試。
二、儀器的主要技術(shù)指標(biāo):
1. 微波光電導(dǎo)衰減法測(cè)少子壽命:
1.1 壽命測(cè)試范圍：0.1 us – 30 ms
1.2 測(cè)試分辨率：0.1%
1.3掃描分辨率：0.5,1,2,4,8,16mm
1.4 樣品的電阻率范圍：0.1 – 1000 ΩCM
1.5 測(cè)試光點(diǎn)直徑：1mm
1.6 測(cè)試速度：30ms/數(shù)據(jù)點(diǎn)
1.7 zui大測(cè)試點(diǎn)數(shù)：超過360000
1.8激光源波長(zhǎng)：904nm
1.9光源脈沖寬度：200ns,fall time 10ns
2. 光誘導(dǎo)電流測(cè)試
2.1 掃描區(qū)域：zui大210 ? 210 mm
2.2 測(cè)試電流范圍：1 uA – 1mA
2.3 光源波長(zhǎng)：403，880，950，980 nm
2.4 選加功能：硅片，電池的上述激光波長(zhǎng)反射率掃描，電池的IQE，EQE掃描
2.5 通過兩個(gè)以上的激光器，可以計(jì)算少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度
3. 方塊電阻測(cè)試:
無接觸方塊電阻測(cè)試功能，以取代傳統(tǒng)的四探針
3.1 可測(cè)試樣品：np or pn structure
3.2 測(cè)試范圍：10 Ω/sq to 1000Ω/sq
3.3 測(cè)試分辨率：2%
3.4 掃描分辨率：10mm
3.5 測(cè)試精度：< 3%
3.6 測(cè)試重復(fù)性：< 1%
4. 體電阻率掃描:
渦流場(chǎng)測(cè)試，無接觸，無損傷測(cè)試
4.1 測(cè)試范圍：0.5 – 20 ΩCM
4.2 測(cè)試精度： 3-6 %
4.3 測(cè)試重復(fù)性： 2%
4.4 探頭直徑：5 mm
5. p型硅樣品，范圍：Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3
