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復納科學儀器(上海)有限公司

掃描電子顯微鏡的基本參數(shù)

時間:2016-3-25 閱讀:3941
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 掃描電子顯微鏡的基本參數(shù)
與普通光學顯微鏡不同,在SEM中,是通過控制掃描區(qū)域的大小來控制放大率的。如果需要更高的放大率,只需要掃描更小的一塊面積就可以了。放大率由屏幕/照片面積除以掃描面積得到。
所以,SEM中,透鏡與放大率無關。
場深
在SEM中,位于焦平面上下的一小層區(qū)域內(nèi)的樣品點都可以得到良好的會焦而成象。這一小層的厚度稱為場深,通常為幾納米厚,所以,SEM可以用于納米級樣品的三維成像。
作用體積
電子束不僅僅與樣品表層原子發(fā)生作用,它實際上與一定厚度范圍內(nèi)的樣品原子發(fā)生作用,所以存在一個作用“體積”。
作用體積的厚度因信號的不同而不同:
歐革電子:0.5~2納米。
次級電子:5λ,對于導體,λ=1納米;對于絕緣體,λ=10納米。
背散射電子:10倍于次級電子。
特征X射線:微米級。
X射線連續(xù)譜:略大于特征X射線,也在微米級。
工作距離
工作距離指從物鏡到樣品zui高點的垂直距離。
如果增加工作距離,可以在其他條件不變的情況下獲得更大的場深。
如果減少工作距離,則可以在其他條件不變的情況下獲得更高的分辨率。
通常使用的工作距離在5毫米到10毫米之間。
成象
次級電子和背散射電子可以用于成象,但后者不如前者,所以通常使用次級電子。
表面分析
歐革電子、特征X射線、背散射電子的產(chǎn)生過程均與樣品原子性質(zhì)有關,所以可以用于成分分析。但由于電子束只能穿透樣品表面很淺的一層(參見作用體積),所以只能用于表面分析。

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