目錄:瑞典百歐林科技有限公司>>Q-sense 石英微晶體天平>> QSense High Pressure 高壓石英晶體微天平
| 價格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | 國產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
QSense High Pressure 高壓石英晶體微天平可以實時了解真實高溫高壓條件下，體系的組成成分、添加劑相關(guān)化學物質(zhì)之間的界面相互作用，為您的研究提供了一整套的解決方案。即使是微小的改變，也能對您的工作產(chǎn)生極大的影響，而將您的決定建立在分析科學的基礎(chǔ)上，則會增加成功的機會。借助QSense® High Pressure高壓模塊，我們希望能充分激發(fā)您的想象力，通過實驗測試、分析討論和方法優(yōu)化以得到更好的結(jié)果。
QSense High Pressure 高壓石英晶體微天平是一款可模擬現(xiàn)實高壓反應(yīng)條件的石英晶體微天平分析設(shè)備。壓力設(shè)置高至200Bar,溫度設(shè)置高至150℃。您也可以對儀器參數(shù)進行個性化定制，以滿足特定的實驗需求。
高壓石英晶體微天平由高溫樣品臺、高壓流動池、高壓泵、液體處理單元和電子單元組成
QSense® High Pressure高壓石英晶體微天平——專家之選
您比我們更了解您的研究領(lǐng)域。然而，無論是努力提高石油產(chǎn)量，防止食品加工設(shè)備與管道的污染，還是體系反滲透膜的脫鹽效率，充分地了解反應(yīng)過程都具價值。通過提高對油巖界面相互作用的理解，您或許能在未來做出更明智的決定。
QSense® High Pressure高壓石英晶體微天平——強有力的研究工具
QCM-D是耗散型石英晶體微天平的簡稱。該技術(shù)可記錄石英晶體芯片的振蕩頻率和耗散的變化，為在納米尺度上研究分子與表面的相互作用提供了新的視角。使用QSense® 耗散型石英晶體微天平分析儀，您可以實時跟蹤表面上發(fā)生的質(zhì)量、厚度和結(jié)構(gòu)物理特性等變化。
QSense® 檢測得到的質(zhì)量吸附/脫附量以及反應(yīng)速率
模擬現(xiàn)實高壓反應(yīng)條件
不同的反應(yīng)條件下進行的測試可能得到不同的結(jié)果，而這就是我們開發(fā)QSense® 高壓石英晶體微天平的驅(qū)動力。我們可提供芯片表面定制，以滿足您的不同實驗需求。基于QCM-D的檢測結(jié)果，您可實時根據(jù)界面反應(yīng)得出結(jié)論，并對反應(yīng)流程進行優(yōu)化。
1. 在高壓和高溫的條件下進行QCM-D實驗
2. 根據(jù)您的特定需求選擇芯片的材質(zhì)和涂層
3. 使用不同的有機溶劑和樣品，篩選實驗方案
選擇QSense® High Pressure高壓石英晶體微天平的三個理由:
1. 基于對結(jié)果至關(guān)重要的表面相互作用過程信息做出更明智的決定
2. 從表面材料、化學反應(yīng)、壓力和溫度等方面模擬真實的反應(yīng)條件
3. 為您的實驗室裝備一套高靈敏度的科學分析工具
QSense® High Pressure高壓石英晶體微天平的典型應(yīng)用領(lǐng)域：
食品加工
食品加工設(shè)備經(jīng)過使用后，通常殘留的污垢中含有豐富的營養(yǎng)成分，成為微生物生長繁殖的培養(yǎng)基。只有清除污垢，才能保障加工后的食品處于衛(wèi)生的環(huán)境中。
防止污垢沉積
檢測污垢形成的過程，尋找方法或添加劑以減少污垢沉積。使用不銹鋼芯片模擬在設(shè)備和管道表面，體系的組成成分和加工溫度對結(jié)垢的影響，進而找出適宜的化學成分、表面材料、壓力和溫度，用于預(yù)測在高溫高壓條件下，工業(yè)食品加工中不銹鋼設(shè)備的結(jié)垢/清洗行為。
RO反滲透膜
RO反滲透膜通過對高濃度的一側(cè)施加壓力進行逆滲透，工作壓力設(shè)置不當，會影響產(chǎn)水通量、脫鹽率以及RO膜元件的使用壽命。
工作壓力優(yōu)化
通過調(diào)節(jié)進水的壓力，研究影響反滲透膜的產(chǎn)水通量和脫鹽率的因素，使用QSense系統(tǒng)模擬真實世界中高溫高壓條件的海水淡化設(shè)施中可能遇到的傳輸現(xiàn)象。
QSense® High Pressure高壓石英晶體微天平的技術(shù)參數(shù)：
芯片和樣品處理系統(tǒng) | ||||
工作溫度a | 4 – 150 °C, 由軟件控制，精度為 ± 0.02 °C | |||
工作壓力 | 90 – 200 bar (與交替蠕動泵聯(lián)用，也可在常壓下工作) | |||
芯片數(shù)量 | 1 | |||
芯片表面 | 超過50種標準材料，包括金屬、氧化物、碳化物和聚合物 例如：金、二氧化硅、不銹鋼SS2343 & SS2348、氧化鐵、高嶺石等 其他材料如鋼和礦物，可根據(jù)客戶要求定制 | |||
測量特性 | ||||
時間分辨率，1個頻率 | > 100 個數(shù)據(jù)點/秒 | |||
液相質(zhì)量靈敏度b | < 1 ng/cm2 (10 pg/mm2) | |||
液相耗散靈敏度b | < 0.08 x 10-6 | |||
電子單元參數(shù) | ||||
電源和頻率 | 100 / 115-120 / 220 / 230-240 V AC, 50-60 Hz 電源應(yīng)正確接地 | |||
軟件和電腦要求 | ||||
數(shù)據(jù)采集軟件 (QSoft) | USB 2.0, Windows XP 或更高版本 | |||
數(shù)據(jù)分析軟件(QSense Dfind) | 操作系統(tǒng)：64位Windows 7 SP1, 8, 8.1, 10或更高版本 顯示器分辨率：> 1366×768像素 內(nèi)存：>4 GB | |||
數(shù)據(jù)輸入/輸出格式 | Excel, BMP, JPG, WMF, GIF, PCX, PNG, TXT | |||
尺寸和重量 | 高 (cm) | 寬 (cm) | 長 (cm) | 重量 (kg) |
電子單元 | 18 | 36 | 21 | 9 |
樣品池 | 8 | 9 | 11 | 2 |
高壓閥門和控制面板 | 68 | 50 | 50 | ca 30 |
HPLC 泵 | 14 | 26 | 42 | 10 |
a 溫度的穩(wěn)定性取決于環(huán)境變化對樣品池升溫或冷卻的影響。如果附近有氣流或熱源使室溫變化超過±1℃，則可能無法達到系統(tǒng)設(shè)定的溫度穩(wěn)定性。
b 通過標準的QSense® 流動模塊采集數(shù)據(jù) (單頻模式下每5秒采集一個數(shù)據(jù)點，假定Sauerbrey關(guān)系是有效的)。當QSense®高壓系統(tǒng)芯片背面存在液體時，靈敏度會降低。
以上技術(shù)參數(shù)僅對此配置有效。所有技術(shù)指標如有更改，恕不另行通知。
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