在我們實際研磨拋光過程中，研磨拋光主要講的是化學機械拋光（CMP: Chemical Mechanical Polishing）。CMP 是化學的和機械的綜合作用，在一定壓力及拋光漿料存在下，在拋光液中的腐蝕介質作用下工件表面形成一層軟化層，拋光液中的磨粒對工件上的軟化層進行磨削，因而在被研磨的工件表面形成光潔表面。

拋光液中的腐蝕介質與被拋光表面材料發(fā)生了化學反應，生成很薄的剪切強度很低的化學反應膜，反應膜在磨粒磨削作用下被去處，從而露出新的表面，接著又繼續(xù)反應生成新的反應膜，如此周而復始的進行，使表面逐漸被拋光修平,實現(xiàn)拋光的目的。

UNIPOL-1203化學機械磨拋機，適用于CMP平坦化和平滑化工藝技術，整機研磨部分采用防腐材料，耐化學腐蝕，配置自動滴料器和精密磨拋控制儀，全自動觸摸屏面板，從加工性能和速度上同時滿足晶圓等面型加工的需求。 

主要特點：
1、超平不銹鋼拋光盤（平面度為每25mm×25mm小于0.0025mm）。
2、超精旋轉軸（托盤端跳小于0.01mm）。
3、設有兩個加工工位，可分別進行控制。
4、配有全自動控制觸摸屏面板，可設置主軸轉速、擺臂速度、磨拋時間。
5、配置自動滴料器，流量速率可視化調整，自動研磨和拋光。
6、配置GPC-100A精密磨拋控制儀，可調節(jié)壓力，修整面型，使磨拋更加方便快捷。
7、研磨部分采用防腐材料，耐化學腐蝕。