13
當(dāng)前位置：上海添時科學(xué)儀器有限公司>>CVD氣相沉積>>等離子體增強(qiáng)CVD管爐>> PECVD等離子體增強(qiáng)氣相沉積
PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是一種利用等離子體來促進(jìn)氣體反應(yīng)的CVD技術(shù)。其特點包括：
1、低溫沉積：PECVD可以在較低的基材溫度下進(jìn)行，因為等離子體提供的能量能夠促進(jìn)氣體反應(yīng)，降低沉積溫度的需求。
2、高沉積速率：等離子體增強(qiáng)了氣體反應(yīng)速率，從而提高了薄膜沉積速率。
3、良好的膜質(zhì)量：PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度，適用于需要高質(zhì)量薄膜的應(yīng)用。
4、適應(yīng)性強(qiáng)：可以沉積多種材料，包括氧化物、氮化物和氟化物等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件和保護(hù)涂層等領(lǐng)域。
5、控制性好：通過調(diào)整等離子體的參數(shù)（如功率、氣體流量和壓力），可以精確控制薄膜的成分和性質(zhì)。
加熱爐參數(shù)
?最高溫度：1200ºC（<30min），連續(xù)工作溫度：1100℃；
?兩個PID溫度控制器及30段可編程溫控系統(tǒng)；
?輸入功率：208-240V，單相，最大功率：2.5KW；
?高純氧化鋁纖維保溫層可以最大限度降低能耗；
?回轉(zhuǎn)爐旋轉(zhuǎn)速度：2-10rpm；
?爐體開啟式設(shè)計，以達(dá)到對樣品快速降溫，方便更換爐管。
