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高溫四探針電阻率測(cè)試驗(yàn)證流程

一、概述：采用由四探針雙電測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫試驗(yàn)箱結(jié)合配置的高溫測(cè)試探針治具，滿足半導(dǎo)體材料因溫度變化對(duì)電阻值變化的測(cè)量要求，通過(guò)良好的測(cè)控軟件可以顯示出溫度與電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。

二、適用行業(yè)：廣泛用于：生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).

三、功能介紹：液晶顯示，無(wú)需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，儀器自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無(wú)需人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸安全、使用方便；配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成報(bào)表；

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。

測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。

高溫四探針電阻率測(cè)試驗(yàn)證流程

四、技術(shù)參數(shù)資料

1.方塊電阻范圍：10^-5～2×10⁵Ω/□

2.電阻率范圍：10^-6×10⁶cm

3.測(cè)試電流范圍：0.1μA ，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100 mA

4.電流精度：±0.1%讀數(shù)

5.電阻精度：≤0.3%

6.顯示讀數(shù)：液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率

7.測(cè)試方式: 雙電測(cè)量

8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗：<30W

9.整機(jī)不確定性誤差: ≤4%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果）

10. zui高溫度： 1200℃可調(diào)節(jié)；沖溫值：≤1-3℃；控溫精度：±1°C

11、升溫速度：9999分鐘以內(nèi)自由設(shè)定,一般10分鐘內(nèi)即可升到900℃；功率：3kw.

12、爐膛材料：采用復(fù)合陶瓷纖維材料，具有真空成型，高溫不掉粉的特征。

13.測(cè)試PC軟件一套，USB通訊接口，軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數(shù)據(jù)！

14.選購(gòu)：電腦和打印機(jī)