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Bruker 橢偏儀 FilmTek 2000M TSV
  • Bruker 橢偏儀 FilmTek 2000M TSV
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 Bruker/布魯克
  • 型號
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 上海市
屬性

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更新時(shí)間:2024-12-02 10:21:31瀏覽次數(shù):2431評價(jià)

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Bruker 橢偏儀 FilmTek 2000M TSV
FilmTek™ 2000M TSV計(jì)量系統(tǒng)為先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝應(yīng)用提供了速度和精度組合。該系統(tǒng)為各種封裝工藝和相關(guān)結(jié)構(gòu)的高通量測量提供了測量性能和精度,包括表征抗蝕劑厚度、硅通孔(TSV)、銅柱、凸塊和再分布層(RDL)。

Bruker 橢偏儀 FilmTek 2000M TSV

——用于半導(dǎo)體封裝應(yīng)用中高通量測量的先進(jìn)計(jì)量系統(tǒng)

Bruker 橢偏儀 FilmTek 2000M TSV


FilmTek™ 2000M TSV計(jì)量系統(tǒng)為先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝應(yīng)用提供了速度和精度組合。該系統(tǒng)為各種封裝工藝和相關(guān)結(jié)構(gòu)的高通量測量提供了測量性能和精度,包括表征抗蝕劑厚度、硅通孔(TSV)、銅柱、凸塊和再分布層(RDL)。


高產(chǎn)量TSV制造需要快速、高精度測量TSV蝕刻深度和深度均勻性。FilmTek 2000M TSV系統(tǒng)采用了我們光學(xué)方法,基于正入射反射法,使用戶能夠高效、準(zhǔn)確地測量高深寬比TSV結(jié)構(gòu)的蝕刻深度。該系統(tǒng)可以容易地確定直徑大于1µm的通孔結(jié)構(gòu)的蝕刻深度,最大蝕刻深度可達(dá)500µm。


此外,我們低功率物鏡光學(xué)設(shè)計(jì)使FilmTek 2000M TSV能夠?qū)崿F(xiàn)非常小的光點(diǎn)尺寸-與目標(biāo)通孔結(jié)構(gòu)的直徑相同數(shù)量級-具有幾乎準(zhǔn)直的測量光束。例如,該系統(tǒng)可以配置為,10倍物鏡在y和x維度上的測量點(diǎn)尺寸分別為5µm乘10µm。這種光學(xué)設(shè)計(jì)限制了收集光的角光譜,并最大限度地提高了高縱橫比TSV或溝槽結(jié)構(gòu)的光譜反射的相干性。因此,與使用高功率物鏡的計(jì)量儀器相比,該系統(tǒng)可以提供更清晰的數(shù)據(jù)。


其他功能包括測量微泵、溝槽和各種其他結(jié)構(gòu)和應(yīng)用的高度或深度、臨界尺寸和膜厚度。


測量能力

允許確定:
·直徑大于1µm的通孔結(jié)構(gòu)的TSV蝕刻深度,最大蝕刻深度為500µm。
·高度或深度
·臨界尺寸
·膜厚


系統(tǒng)組件


標(biāo)準(zhǔn):
·高縱橫比TSV結(jié)構(gòu)的測量
·測量敢達(dá)500µm的TSV蝕刻深度
·測量直徑小于1µm的TSV結(jié)構(gòu)
·FilmTek技術(shù)
·快速測量時(shí)間(每點(diǎn)約1秒)
·單一工具中的TSV蝕刻深度、凸塊高度、臨界尺寸和膜厚計(jì)量
·盒式到盒式晶片處理
·Brooks或SCI自動化
·300mm,F(xiàn)OUP和SMIF兼容
·SECS/GEM


典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:


·TSV計(jì)量
·先進(jìn)半導(dǎo)體封裝
·具有靈活的軟件,可以輕松修改以滿足研發(fā)和生產(chǎn)環(huán)境中的客戶需求。

Bruker 橢偏儀 FilmTek 2000M TSV技術(shù)規(guī)格

測量函數(shù)TSV蝕刻深度、凸塊高度、臨界尺寸和膜厚度    
晶片處理Brooks or Bruker
基板尺寸200 or 300 mm
模式識別Cognex
CD精度(1σ)<0.2%
蝕刻深度精度(1σ)<0.005%
膜厚范圍5 nm to 350 µm (5 nm to 150 µm is standard)
膜厚精度(1σ)<0.005%
光源鹵素?zé)?/span>
探測器類型2048 pixel Sony linear CCD array
ComputerMulti-core processor with Windows™ 10 Operating System
晶圓吞吐量>60 WPH

FilmTek 2000M TSV和SEM對通孔蝕刻深度的比較

通孔直徑   (µm)      

           蝕刻深度  (µm)      

掃描電鏡

蝕刻深度 (μm)

            FilmTek 2000M TSV            

544.544.3
1055.555.5
1562.061.8
2066.566.8



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