高溫氫致（HTHA）缺陷在高溫高壓氫氣環(huán)境中出現(xiàn)，如：熱交換器、管道和壓力容器中。這種缺陷主要發(fā)生在焊縫的熱影響區(qū)（HAZ）。自由氫會(huì)滲入到鋼合金的晶粒之間，并與碳元素結(jié)合，終產(chǎn)生脫碳甲烷孔隙。

高溫氫致（HTHA）損傷的顯微圖像

如果沒有足夠早地發(fā)現(xiàn)高溫氫致（HTHA）缺陷，孔隙的數(shù)量就會(huì)增加，且合并在一起，并終形成裂紋。為了避免設(shè)備發(fā)生潛在的故障，在這些裂紋形成之前，探測(cè)到高溫氫致缺陷至關(guān)重要。

高溫氫致（HTHA）孔隙在早期階段非常細(xì)小，以至于無法被標(biāo)準(zhǔn)的超聲探頭探測(cè)到。超聲檢測(cè)人員需要使用更高的頻率、更強(qiáng)的聚焦、更高的增益，以及優(yōu)質(zhì)信噪比（SNR），才能探測(cè)到這類缺陷。

奧林巴斯研制了一種于探測(cè)早期階段高溫氫致（HTHA）損傷的探頭。用于檢測(cè)高溫氫致缺陷的解決方案包括雙晶線性陣列（DLA）探頭和相控陣（PA）探頭，DLA探頭使用一發(fā)一收技術(shù)進(jìn)行檢測(cè)，而PA探頭經(jīng)過微調(diào)可以進(jìn)行全聚焦方式（TFM）檢測(cè)。這些檢測(cè)方法與TOFD篩查結(jié)合起來，形成了一套完整的多技術(shù)檢測(cè)策略。

使用雙晶陣列探頭探測(cè)和定義更小的高溫氫致（HTHA）孔隙

奧林巴斯的雙晶線性陣列（DLA）探頭具有高頻性能，可以提供更高的分辨率，從而有助于提高微小缺陷的檢出率，如：高溫氫致（HTHA）缺陷。雙晶線性陣列（DLA）探頭使用一發(fā)一收技術(shù)。這種探頭的兩個(gè)晶片陣列分開放置，并具有聲學(xué)隔離特性，一個(gè)晶片陣列用于發(fā)射聲束，另一個(gè)用于接收信號(hào)。這種配置可以使用更高的增益，而且不會(huì)出現(xiàn)脈沖回波技術(shù)通常會(huì)遇到的干擾回波。雙晶陣列中裝配有大量的小晶片，有助于確保在關(guān)注區(qū)域內(nèi)獲得優(yōu)異的聚焦性能和很高的靈敏度。

   用于角度聲束檢測(cè)的A28 DLA探頭

A28探頭的多個(gè)小晶片（各含32個(gè)晶片的兩個(gè)陣列）有助于提高聲束的偏轉(zhuǎn)能力，從而可使聲束覆蓋到焊縫體積的更大區(qū)域和熱影響區(qū)（HAZ）。探頭上有一個(gè)已獲ZL的樞軸鉸鏈裝置，可使發(fā)射晶片和接收晶片盡可能互相靠近，以擴(kuò)大聲束以電子方式聚焦的范圍。樞軸裝置還可使兩個(gè)晶片陣列更緊密地貼附在楔塊的屋頂角上。

覆蓋更多的焊縫區(qū)域和熱影響區(qū)（HAZ）— 角度聲束DLA探頭（A28）

   可以進(jìn)行快速零度檢測(cè)的REX1 DLA探頭

這些含有64個(gè)晶片的雙晶探頭在與一個(gè)編碼器或掃查器配套使用時(shí)，可以0角度覆蓋30毫米寬的區(qū)域，完成快速掃查，并獲得清晰的C掃描圖像。雙晶相控陣技術(shù)可以在不同的深度上聚焦，獲得更高的檢測(cè)和定義能力。用戶可以直接在OmniScan X3探傷儀上選擇用于聚焦聲束的晶片數(shù)量，進(jìn)一步提高關(guān)注區(qū)域中的信號(hào)響應(yīng)能力。探頭的創(chuàng)新型防磨穩(wěn)定裝置可以緊密地貼合在外徑小至101.6毫米的管道表面上。

快速高溫氫致（HTHA）缺陷掃查 — 零度DLA探頭（REX1）

提供全聚焦方式（TFM）的OmniScan X3相控陣探傷儀

雖然與傳統(tǒng)的相控陣超聲檢測(cè)技術(shù)（PAUT）相比，全聚焦方式（TFM）成像功能可以提供更大的聚焦區(qū)域，但是TFM的聚焦性能仍然會(huì)受到探頭晶片數(shù)量、頻率、帶寬和有效孔徑大小的影響。使用數(shù)量更多、體積更小的晶片，可以更進(jìn)一步提高聚焦效果，從而可優(yōu)化來自高溫氫致（HTHA）缺陷的響應(yīng)。此外，為了提高探測(cè)較小缺陷的能力，我們需要更短的波長，因此要使用更高的頻率。

由于盡早探測(cè)到高溫氫致（HTHA）缺陷至關(guān)重要，因此通常會(huì)使用多種方法進(jìn)行檢測(cè)，以增加探測(cè)到高溫氫致缺陷的幾率。實(shí)踐證明衍射時(shí)差（TOFD）、全矩陣捕獲（FMC）和雙晶線性陣列（DLA）采集方法可以特別有效地完成這項(xiàng)檢測(cè)應(yīng)用。OmniScan X3探傷儀不僅*支持這些方法，而且其創(chuàng)新型全聚焦方式（TFM）成像功能及一些軟件工具還可以簡化設(shè)置和分析過程。

OmniScan X3探傷儀的屏幕上顯示通過全聚焦方式（TFM）檢測(cè)獲得的高溫氫致（HTHA）缺陷指示

OmniScan X3探傷儀集成有DLA探頭配置，可提供實(shí)時(shí)TFM包絡(luò)、高分辨率TFM圖像（高1024 × 1024點(diǎn)）和64晶片全聚焦方式（TFM）擴(kuò)展孔徑，是一款可與這些優(yōu)化的探頭組合在一起，創(chuàng)建一套完整的高溫氫致（HTHA）缺陷檢測(cè)解決方案的理想儀器。

盡早探測(cè)到高溫氫致（HTHA）損傷有助于避免石油、天然氣和石化設(shè)施的關(guān)鍵性高壓資產(chǎn)出現(xiàn)災(zāi)難性的故障。對(duì)資產(chǎn)狀況進(jìn)行評(píng)估至關(guān)重要，不過要探測(cè)并評(píng)估高溫氫致（HTHA）缺陷，包括以超聲（UT）方式進(jìn)行的檢測(cè)，非常具有挑戰(zhàn)性。奧林巴斯推出的高溫氫致（HTHA）缺陷檢測(cè)解決方案，可以有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。