擴(kuò)散硅壓力變送器SC308

擴(kuò)散硅壓力傳感器工作原理

擴(kuò)散硅壓力傳感器的壓力直接作用于傳感器的膜片上（不銹鋼或陶瓷），使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，和用電子線路檢測這一變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)對應(yīng)于這一壓力的測量。

擴(kuò)散硅壓力傳感器的特點(diǎn)

1、適合制作小量程的傳感器

硅芯片的這種力敏電阻的壓阻效應(yīng)在零點(diǎn)附近的低量程段無死區(qū)，制作壓力傳感器的量程可小到幾個(gè)Kpa。

2、輸出靈敏度高

硅應(yīng)變電阻的靈敏因子比金屬應(yīng)變計(jì)高50～100倍，故相應(yīng)的傳感器的靈敏度就很高，一般量程輸出為100mv左右。因此對接口電路無特殊要求，使用比較方便。

3、精度高

由于傳感器的感受、轉(zhuǎn)換和檢測三部分由同一個(gè)元件實(shí)現(xiàn)，沒有中間轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，重復(fù)性和遲滯誤差較小。由于單晶硅本身剛度很大，變形很小，保證了良好的線性。

4、由于工作單性形變低至微應(yīng)變數(shù)量級，彈性芯片大位移在亞微米數(shù)量級，因而無磨損，無疲勞，無老化，壽命長達(dá)1×103壓力循環(huán)，性能，可靠性高。

5、由于硅的優(yōu)良化學(xué)防腐性能，即使是非隔離型的擴(kuò)散硅壓力傳感器，也有相當(dāng)程度的適應(yīng)各種介質(zhì)的能力。

6、由于芯片采用集成工藝，又無傳動部件，因此體積小，重量輕。

擴(kuò)散硅壓力變送器SC308

擴(kuò)散硅壓力傳感器的性能參數(shù)

測量介質(zhì)：與316L不銹鋼兼容的各種、氣體或蒸汽

量程范圍：-100 kPa～0～2kPa…60MPa

壓力：表壓、絕壓、密封壓

恒壓供電：推薦10VDC，大15VDC

恒流供電：推薦1.5mA，大4mA

橋路電阻：4000Ω(典型值)

綜合精度：0.1%FS，0.3%FS，0.5%FS可選

溫度漂移：0.02%FS/℃

時(shí)間漂移：≤0.2%FS/年

補(bǔ)償溫度：0～80℃

介質(zhì)溫度：-40～125℃

溫度：-40～85℃。

　　實(shí)踐狀況是，就所裝置的國產(chǎn)鋼帶液位計(jì)而言，很大年夜一局部是掉效的，這是因?yàn)椋浩鹗祝谱骱脱b置上存在后果，鋼帶很輕易被卡?。黄浯问瞧鋺?yīng)用情況卑劣，在接卸液化石油氣船時(shí)，特別是罐內(nèi)液位很低時(shí)，高速進(jìn)人儲罐的液化石油氣，在罐內(nèi)激烈翻滾，使鋼帶液位計(jì)的浮筒及其導(dǎo)向鋼絲動搖報(bào)大年夜，有時(shí)會使磁吸頭寥落，無。

　　查詢拜訪詢問發(fā)明，檢出致病菌的海蜇當(dāng)日共發(fā)賣8份，發(fā)賣額176元。隨后，法律人員向當(dāng)事人投遞了《行政處分告訴書》，對當(dāng)事人作出充公背法所得176元，罰款3000元的行政處分。過時(shí)豬肉很能夠會吃壞肚子，但浙卻沒把這當(dāng)回事。

　　受“強(qiáng)基薄面"設(shè)計(jì)實(shí)際的影響，我國的初等級公路的下層主要采取半剛性結(jié)構(gòu)。這類結(jié)構(gòu)致密，強(qiáng)度高，與瀝青面層比擬，彈性模量相差很大年夜，強(qiáng)度太高加上半剛性下層資料自身的特點(diǎn)，決定了下層開裂和反射裂縫較嚴(yán)重。鋪設(shè)土工格柵能將開裂發(fā)生的集中應(yīng)力分散、傳遞和分化，防止瀝青面層受反射拉應(yīng)力而。

　　該初步完成了全省飲用水衛(wèi)生的非現(xiàn)場、監(jiān)測和衛(wèi)生數(shù)據(jù)共享，為及時(shí)發(fā)明和污染隱患，保證全省飲用水衛(wèi)生平安供給了的支撐。該由監(jiān)控中間、絡(luò)、現(xiàn)場水質(zhì)在線監(jiān)測裝備3局部構(gòu)成，可經(jīng)過無線數(shù)據(jù)傳輸，將掉掉落的現(xiàn)場數(shù)據(jù)停止處理，水質(zhì)監(jiān)測。

　　"鄭南寧剖析說，隨著腦與認(rèn)知的研究展和不美觀測大年夜腦微不美觀結(jié)構(gòu)手腕日趨豐富，人們曾經(jīng)可以在微不美觀水平不美觀測到神經(jīng)元的結(jié)構(gòu)、分歧腦區(qū)的形狀，和神經(jīng)元放電、不絡(luò)等信息處。聯(lián)合這些試驗(yàn)不美觀察，智能及計(jì)算模擬已可以在計(jì)算機(jī)上局部模擬腦信息處。